НАПІВПРОВІДНИКОВИЙ ІНТЕГРАЛЬНИЙ ЕЛЕМЕНТ НА ОСНОВІ НАНОСТРУКТУР КРЕМНІЮ ДЛЯ ІНФОРМАЦІЙНИХ СИСТЕМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.1.107702Ключові слова:
акселерометр, полікремній, структура кремнійна-ізоляторі, травлення, наноелектромеханічна системаАнотація
В роботі розглянуто чутливий елемент акселерометра, що виконаний з використанням суміщеної технології створення структур кремній-на-ізоляторі та ниткоподібних нанокристалів кремнію. На його основі розроблено малоінерційний, швидкодіючий, високочутливий до прискорення і переміщень пристрій із субмікрометровими і нанометровими топологічними розмірами. Це дало можливість реалізувати як дискретний прилад, так і елемент зінтегрованих наноелектромеханічних систем зі структурою кремній-на-ізоляторі, який забезпечує контроль переміщення з точністю 200 нм.Посилання
J.Wilson. Sensor Technologу Handbook/ Editor-in-Shief J..S.Wilson, Elsevier Inc.2005.– 703p.
Y. Cui, C.M. Lieber, Functional Nanoscale Electronic Devices Assembled Using Silicon Nanowire Building Blocks, Science, 291(5505).–2001.–p. 851–853.
E.Sicard, S. Delmas Bendhia. Advanced CMOS cell design. McGraw-Hill, New-York. – 2007. – 383 c.
K. Bernstein, N. Rochler. SOI circuit design. Kluwer Academic Press, New York.– 2002.–321 c.
Collinge J.-P .Silicon–on–Insulator Technology: materials to VLSI / Edition, by Kluwer Academic Publishers.– 1997.– 609 p.
H.Rongrui and Y. Peidong. Giant piezoresistance effect in silicon nanowires. Nature nanotechnology .– VOL 1.– October 2006. Letters.–2006.– pp.42-46.
O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, I.V.Litvin, A.I.Aseev. Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication // Microelectronic Engineering.–2003.–Vol.69, Issues 2-4.–P.168-172.
V. I. Turchanikov, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, Josep Carreras, B. Garrido: Charge storage peculiarities in poly-Si-SiO2-Si memory devices with Si nanocrystals rich SiO2. Microelectronics Reliability 45(5-6).–2005.– p.903-906.
O.V.Naumova, V.P.Popov, A.I.Aseev, Yu.D.Ivanov, A.I.Archakov Silicon-on-insulator nanowire transistor for medical biosensors// EuroSOI International conference.– Goteborg.–2009.–P.69-70.
C.Y.Lee, T.Y.Tseng, S.Y.Li and P. Lin. Growth of zing oxide nanowires on silicon (100) // Tamkang Journal of Sience and Engineering, 2003. – Vol.6, No. 2.– pp. 127-132.
Y.F.Zhang, T Y.H.ang, N.Wang, D.P.Yu, C.S.Lee, B I.ello, S.T.Lee Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature// Appl. Phys. Lett. 1998. – Vol. 72. –P. 15.
Y.Wu, R.Fan, and P.Yang. Block-by-block growth of single-crystalline Si/SiGe superlattice nanowires. Nano Letters, 2002. – Vol. 2, N2. – P. 83-86.
C.Deng, W.Sigmon, G.K Giust., J.C.Wu, M.N. Wybourne. Novel scheme to fabricate SiGe nanowires using pulsed ultraviolet laser induced epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. A 14(3), May/Jun 1996.–p.1860.
I.Zubel, M.Kramkowska. The effect of isopropyl alcohol on etching rate and roughness of (100) Si surface etched in KOH and TMAH solutions// Sensors&Actuatuators.–A93.–2001.–P.138–147.
M.J. Hampden-Smith. Chemical Vapour Deposition of Metals. Part 1. An Overview of CVD Processes / M.J. Hampden-Smith, T.T. Kodas // Journal Chemical Vapour Deposition. – 1995. – № 1. – P. 8–23.
A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovski, Yu.M. Khoverko, S.I. Nichkalo. Growth of Si wires array by CVD method // E-MRS 2009 Spring Meeting, Strasbourg (France), June 8–12, 2009: Book of Abstracts. Symposium: I Advanced Silicon materials research for electronic and photovoltaic applications. – 2009. – P. 155.
A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, S.I. Nichkalo. Peculiarities of Si nanowires growth // Materials of International Meeting “Clusters and nanostructured materials (CNM-2)”, September 27–30, 2009, Uzhgorod, Ukraine. – 2009. – P. 58.
А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало. Вирощування нано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливість їх сенсорних застосувань // Наук.-техн. збірн. „Электроника и связь”. – 2009. – № 2–3. – С. 56–60.
А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії // Вісник НУ „Львівська політехніка” “Електроніка”. – 2009. – № 646. – С. 11–16.
А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало. Особливості створення нанорозмірних кристалів кремнію // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, № 4. – C. 777–780.
А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало. Получение нитевидных нанокристаллов Si и SiGe // Зб. наук. праць „Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології”. – 2011. – Т. 9. – С. 925–931.
Патент № 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00. Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію / А.О.Дружинін, І.П.Островський, С.І.Нічкало, Ю.М.Ховерко; Національний університет “Львівська політехніка” – Бюл. № 20/2011.– 3 с.
А Druzhinin, E.Lavitska, I.Maryamova, Y.Khoverko. Laser recrystallized SOI layers for sensor applications at cryogenic temperatures. F. Balestra et al. (eds.) Progress in SOI structures and Devices Operating at Extreme Conditions. Kluwer Acad. Publishers. Printed in the Netherlands. – 2002. – P. 233-237.
Anatoly Druzhinin, Inna Maryamova, Igor Kogut, Yuriy Khoverko Polysilicon on Insulator Structures for Sensor Application at Electron Irradiation & Magnetic Fields // Advanced Materials Research. – 2011. – Vol. 276. – P. 109–116.
Патент № 62951 Україна, МПК Н01L 27/00. Автоемісійний чутливий елемент акселерометра / А.О.Дружинін, І.Т.Когут, В.І.Голота, Ю.М.Ховерко; Національний університет «Львівська політехніка» – № u201101326; Заявл. 07.02.2011; Опубл. 26.09.2011, Бюл. № 18. – 3 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
