ОПТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕРКАЛЬОВАНИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛІВ ЯК МАТЕРІАЛІВ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

Н. К. Товстюк

Анотація


В рамках модельного підходу вивчено динаміку зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів в області E E ≤ g , та вплив на неї як 1) структурних змін зумовлених інтеркаляцією, так і 2) змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт- матриця. Отримані результати порівнюються з експериментальними даними спектрів поглинання CdJ2 інтеркальоаного металічним Cd. Обговорюється можливість інтерпретації оберненої задачі, тобто прогнозування немонотонної зміни інтенсивності додаткового піку враховуючи перераховані вище чинники.

Ключові слова


інтеркалянт; анізотропія; енергетичні стани; коефіцієнт поглинання

Посилання


I. Grygorchak, F. Ivashchyshyn, P. Stakhira, R. R Reghu, V. Cherpak, J. Grazulevicius // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics,

(in publish).

S. A. Voitovych, I. I. Grygorchak, O. I. Aksimentyeva. // Mol. Cryst. Liq. Cryst., 497, 55 (2008).

I. I. Grygorchak., S.A. Vojtovych, B.A. Seredyuk, N. K. Tovstyuk Hyper Capacity of MCM- 41 Supramoleculer Structure in the

R-Range // Journal of Achievements in Material and Manufactoring Engineering . N9, P.645-648 (2011).

І. І. Григорчак, С. А. Войтович, Б. О. Середюк, Н. К. Товстюк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології, Т. 10, № 4. - С. 81-

(2013).

I. I.Grigorchak, P.Y. Stakhira, N. K. Tovstyuk, V. L Fomenko. Kinetics and photoelectrical properties of layer semiconductor intercalated by nickel / // Int. Journal of Modern Physics B., Vol.21, No27. – P. 608 – 614 (2007).

Y. M. Stakhira, N. К. Tovstyuk, V. L. Fomenko, V. M. Tsmots, A. N. Shchupliak, Structure and magnetic properties of InSe single crystals

intercalated by nickel // Semiconductors. V.45, N11. P. 1258-1263 (2011).

Y.M. Stakhira, N. K. Tovstyuk, I.I. Grigorchak, V. L. Fomenko, A. K. Borysyuk, B. A. Seredyuk Structure, magnetization, and low-temperature

impedance response of polycrystalline InSe intercalated with nickel // Low Temp. Physics, v. 38. p. 54-60 (2012).

Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев, Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику // УФН 175, № 11. – С. 629 – 675 (2005).

О. П. Захарук, С. В. Терехова, С. М. Тодоров и др. Край полосы поглощения монокристаллов GаSe ФТП, 10, 2367 – 2370 (1976).

В. И. Тагиров, И. М. Исмайлов, А. Х. Хусейн. Исследование края полосы поглощения In6Se7 // ФТП, 12, 2027 (1978).

Р. Гомер Некоторые вопросы теории хемосорбции // Новое в исследовании поверхности твердого тела / Гомер Р. – М.: Мир, 1977.

– С. 189 – 210.[12]. F. Bassani, G. Pastori Parravicini Electronic

states and optical transitions in solids/ Bassani F., Pastori Parravicini G. – Oxford, New York, Pergamon Press, 1975.

Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства. Под ред. проф.А. Б. Лысковича. Львов: изд-во при Львовском ГУ

"Вища школа", 1983.

M. Rudka Journal of Lviv Politechnic National University "Physical&mathematical sciences" Vol.643, N9 94-98 (2009).

I. Bolesta , S. Velgosh, Yu. Datsiuk, et al. Radiation Measurements, 42, 851 (2007).

I. M. Bolesta, I. V. Kityk, V. I. Kovalisko, R. M. Turchak. Radiation Eff. Defects Solids, 135, 195 (1995).

I.M. Bolesta, I.V. Kityk, V.I. Kovalisko, R.M. Turchak. Feroelectrics, 192,107 (1997).




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2014.2.108205

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2014 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)