УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: РОЛЬ ЕЛЕКТРОСТАТИКИ Й КОНТАКТІВ У КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ – ВГОРУ»

Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха

Анотація


У черговій із серії оглядово-навчальних статей у рамках концепції «знизу – вгору» наноелектроніки розглядається дифузійно-дрейфова модель струму на основі транспортного рівняння Больцмана, роль зовнішнього електричного поля при виході за межі режиму лінійного відгуку, польовий транзистор і струм насичення, роль заряджання провідника, точкова і розширена моделі провідника, роль контактів, моделі p–n переходів, генерація струму в провіднику з асиметричними контактами.

Ключові слова


нанофізика; наноелектроніка; молекулярна електроніка; дифузійно-дрейфовая модель; струм насичення; роль контактів

Посилання


Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки.

виникнення струму, формулювання закону Ома і моди провідності в

концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech. – 2012. – V. 9, N 4. – P. 5 – 30.

Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки.

Спінтроніка в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys.

Tech. – 2013. – V. 10, N 2. – P. 5 – 37.

Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on

Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 473; www.nanohub.org/ courses/FoN1.

Einstein A. Über die von der molekularkinetischen Theorie der

Wärme geforderte Bewegung von in ruhenden Flüssigkeiten suspendierten Teilchen // Ann. Physik. – 1905. –V. 322, N 8. – P. 549 – 560.

Lindsay Stuart. Introduction to Nanoscience. – Oxford, England:

Oxford University Press. – 2009. – pp. 472.

Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, тома 1 и 2. – М: Мир.

– 1979.

Кругляк Ю.О., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки. Ефект Холла і вимірювання електрохімічних потенціалів в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech. – 2014. – V. 11, N 1. – P. 5 – 27.

Sears F.W., Salinger G.L. Thermodynamics, Kinetic Theory, and

Statistical Thermodynamics. – Boston: Addison-Wesley. – 1975.

Стріха М.В. Фізика графену: стан і перспективи // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2010. – Т. 7, N 3. – С. 5 – 13.

Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Методические аспекты расчета зонной

структуры графена с учетом σ–остова. Теоретические основы // Вісник

Одеського держ. екологічного ун-ту. – 2012, В. 13. – С. 207 – 218.

Rabiu M., Mensah S.Y., Abukari S.S. General Scattering Mechanism and

Transport in Graphene // Graphene. – 2013. – V. 2, N 1. – P. 49 – 54.

Bode N., Mariani E., von Oppen F. Transport properties of graphene

functionalized with molecular switches // J. Phys.: Condens. Matter. – 2012. – V. 24. – P. 394017/1 – 10.

Dong H.M., Xu W., Peeters F.M. Highfield transport properties of graphene // J. Appl. Phys. – 2011. – V. 110. – P. 063704/1 – 6.

Chauhan J., Guo Jing. Inelastic Phonon Scattering in Graphene FETs // IEEE Trans. Electron Dev. – 2011. – V. 58, N11. – P. 3997 – 4003.

Peres N.M.R. The transport properties of graphene. An introduction // Rev. Mod. Phys. – 2010. – V. 82, N 3. – P. 2673 – 2700.

Barreiro A., Lazzeri M., Moser J., Mauri F., Bachtold A. Transport properties of graphene in the high-current limit // Phys. Rev. Lett. – 2009. – V. 103. – P. 076601/1 – 4.

Больцман Людвиг. Избранные труды. – М: Мир. – 1984. – 590 с.

Salahuddin S., Lundstrom M., Datta S. Transport Effects on Signal Propagation in Quantum Wires // IEEE Trans. Electron Dev. – 2005. – V. 52, N 8. – P. 1734 – 1742.

Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки: термоелектричні явища в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech. – 2013. – V. 10, N 1. – P. 6 – 21.

Rahman A., Guo Jing, Datta S., Lundstrom M. Theory of Ballistic Nanotransistors // IEEE Trans. Electron Dev. – 2003. – V. 50, N 9. – P. 1853 – 1864.

Pierret Robert F. Semiconductor Device Fundamentals. – Reading, MA:

Addison–Wesley. – 1996. – pp. 791.

Лашкарев В.Е. Исследования запорного слоя методом термозонда

// Известия АН СССР, сер. физ. – 1941. – N 4-5. – С. 442 – 446.

Lytovchenko V.G., Strikha M.V. 100 years of semiconductor science. The

Ukrainian contribution // Europhysics News. – 2014. – V. 45, N 1. – P. 15 – 18.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2014.4.108361

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2014 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)