ТЕНЗОЧУТЛИВІСТЬ В ∆1 – МОДЕЛІ ЗОНИ ПРОВІДНОСТІ КРИСТАЛІВ ГЕРМАНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.3.110406Ключові слова:
анізотропне розсіяння, коефіцієнт тензочутливості, ефективна маса, константи деформаційного потенціалуАнотація
На основі теорії анізотропного розсіяння проведено розрахунки рухливості електронів та коефіцієнта тензочутливості для різної структури ∆1 – зони провідності кристалів германію, утвореної сильним одновісним або гідростатичним тиском. Показано, що для різної концентрації домішки максимальний ефект пʼєзоопору та відповідне значення коефіцієнта тензочутливості можна отримати при інверсії типу ( L1 − ∆1 ) абсолютного мінімуму, яка обумовлена одновісним тиском кристалів n-Ge вздовж кристалографічного напрямку [100]Посилання
Озаренко А. В. Разработка полупроводниковых тензочувствительных
элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов: Дис. канд. техн. наук, 05.11.13. – Тамбом, Тамбовский государственный технический університет, 2008. – 131 с.
Клокова Н. П. Тензорезисторы: теория, методики расчета, разработки. – М.: Машиностроение, 1990. – 224 с.
Кутраков О. П. Тензорезистивні давачі тиску на основі ниткоподібних
кристалів кремнію для широкого діапазону температур і частот: Автореф. дис. на здобуття наукового ступеня канд. техн. наук, 05.27.01 – Львів, Національний університет “Львівська політехніка”, 2012 – 23 с.
Leman S. W., Hertel S. A., Kim P., Cabrera B., Do Couto E Silva E.,
Figueroa-Feliciano E., McCarthy K. A., Resch R., Sadoulet B. and Sundqvist K. M., Comparison of CDMS [100] and [111] Oriented Germanium Detectors // Journal of Low Temperature Physics, - 2012. – Volume 166, DOI: 10.1007/ s10909-011-0427-0.
Kobayashi M., Irisawa T., MagyariKope B., Saraswat K., Wong H.-S.P.,
Nishi Y. Uniaxial Stress Engineering for High-Performance Ge NMOSFETs.
- Electron Devices .-2010, Volume 57, Issue 5, p. 1037 – 1046.
Choi Youn Sung, Lim Ji-Song, Numata Toshinori, Nishida Toshikazu,
Thompson Scott E., Mechanical stress altered electron gate tunneling current and extraction of conduction band deformation potentials for germanium // Journal of Applied Physics. – 2007. – Volume 102, Issue 10, p. 104507 - 104507-5.
Murphy-Armando F. and Fahy S., Giant enhancement of n-type carrier mobility in highly strained germanium nanostructures // Journal of Applied Physics. – 2011. – Volume 109, Issue 11, p. 113703 – 113703-5.
Новиков А. Г., Наливайко О.Ю. Влияние ионного легирования на электрофезические свойства МОП структур с нанокристалами германия // Матер. 9 – й Междунар. конф. “Взаимодействие излучений с твердым телом”. – Минск: Издательский центр БГУ. –
– с. 259 – 260.
П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. Полупроводниковая
электроника. – К.: Наукова думка, 1975. – 704 c.
Ahmad C., Adams A., Pitt Ahmad G. J. Temperature dependence of the electron mobility in the Δ1c minima of Germanium // J. Phys. C: Sol. State Phys.- 1979, v.12, № 10.- p. 1379 -1383.
Луньов С. В., Назарчук П. Ф., Бурбан О. В. Деформаційні потенціали ∆1 – мінімуму зони провідності кристалів n-Ge // Матер. 6-ої Міжнар. наук. конф. “Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали РНАОПМ′2012” – Луцьк: ПФ “Смарагт”. – 2012. – c. 42–45.
Баранский П. И. Коломоец В. В., Федосов А. В. Отличительные особенности пьезосопротивления германия и кремния n −типа, обусловленные различием механизмов рассеяния электронов в этих кристаллах // ФТП. – 1981. – Т. 15, № 4. – С. 698–701.
Баранский П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломоец В. В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. – К.: Наукова думка, 1977. – 269 c.
Луньов С. В., Назарчук П. Ф., Панасюк Л. І. Про параметри ∆1 – мінімумів в n-Ge // Тези доповідей V Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-5). Ужгород.– 2011. – с. 249.
Савчин В. П., Шувар Р. Я. Електронне перенесення в напівпровідниках
та напівпровідникових структурах. – Львів: Видавничий центр ЛНУ Імені Івана Франка, 2008. – 687 с.
Баранський П. І., Федосов А. В., Гайдар Г. П. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу. – Луцьк: Надстир’я, 2000. – 280 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
