ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2 S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV

В. А. Борщак

Анотація


У роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2 S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно зростаючої напруги. Виділено три типи зразків з характерним виглядом залежностей зростання струму від часу при такому зміщенні. Проведено моделювання отриманих експериментальних кривих таких залежностей. Визначено такі параметри досліджуваних гетероструктур, як концентрація вільних носіїв, рухливість, висота бар'єру. Показано, що час нанесення плівок і температура підкладки в значній мірі впливають на фотоелектричні властивості зразків за рахунок варіювання концентрації вільних носіїв і глибоких рекомбінаційних центрів, що є актуальним при оптимізації технологічних параметрів отримання сенсорів зображень на базі таких структур.

Ключові слова


методика BELIV; неідеальний гетероперехід; сенсор зображень

Повний текст:

PDF

Посилання


W. D. Hu, X. S. Chen, F. Yin, Z. H. Ye, C. Lin, X. N. Hu, Z. J. Quan, Z. F. Li, W. Lu, Opt. Quantum Electron. 40, 1255 (2009).

A. D. D. Dwivedi, J. Appl.Phys. 110, 043101 (2011)

D. L. Vassilevski, Sensors and Acuators, A55 (1996), 167 – 172

V. A. Borschak, V. A. Smyntyna, Ie. V. Brytavskyi, A. A. Karpenko, and N. P. Zatovskaya, Semiconductors, , Vol. 47, No. 6 (2013), 838–843.

V. A. Smyntyna, V. A. Borschak, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya, A. P. Balaban, Semiconductor Physics, Quantum Electronics &

Optoelectronics. (2004) V. 7, N 2. P. 222-223.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.3.110464

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)