МДН-ФОТОТРАНЗИСТОР З p-n-...-p-n-СТРУКТУРОЮ В ЯКОСТІ ЗАТВОРУ

Автор(и)

  • I. M. Vikulin Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна
  • Sh. D. Kurmashev Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • V. A. Mingalev Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна
  • Yu. G. Tumanov Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.2.112267

Ключові слова:

польовий транзистор, МДН — структура, фототранзистор, p-n- перехід

Анотація

Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-... — p-n — структурою в якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-... — p-n — структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу, розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області.

Посилання

ВИКУЛИН И. М., СТАФЕЕВ В. И., ФИЗИКА ПОЛУПРО- ВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. — М.: НАУКА, 1990. — 290 С.

ЗУЕВ В. А., ПОПОВ В. Г., ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МДП-ПРИБОРЫ. — М.: РАДИО И СВЯЗЬ, 1983. — 260 С.

ВИКУЛИН И. М., ВИКУЛИНА К. И., КУРМАШЕВ Ш. Д., ФОТОПРИЕМНИК. — АВТ. СВ. СССР №1431622, 1986.

АДИРОВИЧ Э. И. АНОМАЛЬНО ВЫСОКОЕ ФОТОНАПРЯ- ЖЕНИЕ //СБ. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, ПОД РЕД. Ф. В. ЛУКИНА. — М.: СОВ. РАДИО,1967. — №1. — С. 75-89.

ИВАНОВ П. А., ЧЕЛНОКОВ В. Е., ПЛЕНКИ КАРБИДА КРЕМНИЯ//ФТП. — 1995. — Т. 29, №11. — С. 1921-1926.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-18

Номер

Том 2 № 2 (2005)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.