DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.2.112267

МДН-ФОТОТРАНЗИСТОР З p-n-...-p-n-СТРУКТУРОЮ В ЯКОСТІ ЗАТВОРУ

I. M. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, V. A. Mingalev, Yu. G. Tumanov

Анотація


Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-... — p-n — структурою в якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-... — p-n — структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу, розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області.

Ключові слова


польовий транзистор; МДН — структура; фототранзистор; p-n- перехід

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


ВИКУЛИН И. М., СТАФЕЕВ В. И., ФИЗИКА ПОЛУПРО- ВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. — М.: НАУКА, 1990. — 290 С.

ЗУЕВ В. А., ПОПОВ В. Г., ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МДП-ПРИБОРЫ. — М.: РАДИО И СВЯЗЬ, 1983. — 260 С.

ВИКУЛИН И. М., ВИКУЛИНА К. И., КУРМАШЕВ Ш. Д., ФОТОПРИЕМНИК. — АВТ. СВ. СССР №1431622, 1986.

АДИРОВИЧ Э. И. АНОМАЛЬНО ВЫСОКОЕ ФОТОНАПРЯ- ЖЕНИЕ //СБ. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, ПОД РЕД. Ф. В. ЛУКИНА. — М.: СОВ. РАДИО,1967. — №1. — С. 75-89.

ИВАНОВ П. А., ЧЕЛНОКОВ В. Е., ПЛЕНКИ КАРБИДА КРЕМНИЯ//ФТП. — 1995. — Т. 29, №11. — С. 1921-1926.




Copyright (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)