ВИСОКОЯКІСНІ СЕНСОРИ ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО p-n-ПЕРЕХОДУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.3.112546Ключові слова:
сенсор, р-n-перехід, модель, температураАнотація
На основі аналізу процесів в р-n-переходах серійного виробництва, доведено, що найбільше придатними для побудови сенсорів температури, здатних конкурувати з платиновими термоперетворювачами, є кремнієві р-n-переходи, технологія виробництва яких є самою досконалою в порівнянні з іншими електронними компонентами. Сформульовано критерії, яким повинні відповідати р-n-переходи для побудови високостабільних термосенсорів. Синтезована фізико-математична модель дозволяє за двома реперними точками відтворювати температурну характеристику сенсора в широкому діапазоні температур з точністю порядка 0,5 С.Посилання
Пэт О’Нил, Карл Деррингтон. Транзисторы в качестве датчиков температуры //Электроника, 1979. — N21.
Леновенко А.М., Василюк В.М., Капітан В.І. Електронний цифровий термометр. — Патент №23648А. — 1998.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977(1963).
Akira Ohte and Michiaki Yamagata. A Precision Silicon Transistor Thermometer // IEEE, Trans. of Instrum. and Measurem. — 1977. — Vol. IM. — 26 Dec.
##submission.downloads##
Опубліковано
2017-10-23
Номер
Розділ
Сенсори фізичних величин
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.