DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.3.112546

ВИСОКОЯКІСНІ СЕНСОРИ ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО p-n-ПЕРЕХОДУ

V. M. Vassuliuk, A. M. Lenovenko, N. O. Kovalchuk

Анотація


На основі аналізу процесів в р-n-переходах серійного виробництва, доведено, що найбільше придатними для побудови сенсорів температури, здатних конкурувати з платиновими термоперетворювачами, є кремнієві р-n-переходи, технологія виробництва яких є самою досконалою в порівнянні з іншими електронними компонентами. Сформульовано критерії, яким повинні відповідати р-n-переходи для побудови високостабільних термосенсорів. Синтезована фізико-математична модель дозволяє за двома реперними точками відтворювати температурну характеристику сенсора в широкому діапазоні температур з точністю порядка 0,5 С.

Ключові слова


сенсор, р-n-перехід; модель; температура

Повний текст:

PDF

Посилання


Пэт О’Нил, Карл Деррингтон. Транзисторы в качестве датчиков температуры //Электроника, 1979. — N21.

Леновенко А.М., Василюк В.М., Капітан В.І. Електронний цифровий термометр. — Патент №23648А. — 1998.

Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977(1963).

Akira Ohte and Michiaki Yamagata. A Precision Silicon Transistor Thermometer // IEEE, Trans. of Instrum. and Measurem. — 1977. — Vol. IM. — 26 Dec.




Copyright (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)