ОПТИЧНІ ТА СЕНСОРНІ ВЛАСТИВОСТІ АМОРФНОГО SiO2 З ВПРОВАДЖЕНИМ В ІОННІ ТРЕКИ ДІОКСИДОМ ОЛОВА НА КРЕМНІЇ

Автор(и)

  • М. Л. Дмитрук Інститут фізики напівпровідників НАН України, Ukraine
  • О. С. Кондратенко Інститут фізики напівпровідників НАН України, Ukraine
  • Л. О. Власукова Білоруський державний університет, Belarus
  • П. В. Кучинський Білоруський державний університет, Belarus

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.1.112580

Ключові слова:

треки важких іонів, нанокомпозит, газочутливі сенсори, оптичні властивості, SnO2

Анотація

Досліджено вплив опромінення швидкими важкими іонами 131Xe на оптичні та адсорбційні властивості пластин SiO2/Sі з впровадженими в нанопори частинками діоксида олова (SnO2). Оптичні константи (n, k) композиту визначено методом багатокутової монохроматичної еліпсометрії (λ = 632.8 нм) як в атмосферному середовищі, так і в парах ацетону. Показано, що впровадження SnO2 в об’єм пористого діоксиду кремнію (SiO2) призводить до змін ефективної діелектричної проникності композитного пористого шару та збільшує чутливість активного елемента сенсора до парів ацетону.

Посилання

Венгер Є. Ф., Гончаренко А. В., Дмитрук М.Л. Оптика малих частинок і дисперсних середовищ. – К.: Наук. думка, 1999.– 347 с.

Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем // УФН. – 2007. – Т. 177, № 6. – C. 619-638.

Реутов В. Ф., Дмитриев С. Н. Ионно-трековая нанотехнология // Рос. хим. ж. ( Ж. Рос. хім. об-ва им. Д. И. Менделеева). – 2002. – Т. ХLVI, № 5. – С. 74-80.

Дмитрук М.Л., Кондратенко О.С., Пінковська М.Б., Хіврич В.І., Власукова Л.О., Кучинський П.В. Оптичні та сенсорні властивості наноструктурованого кремнію, опроміненого високоенергетичними частинками (протони, a-частинки, важкі іони) // УФЖ. – 2010. – Т. 55, №7. – C. 811-819.

Losurdo M., Barreca D., Capezzuto P., Bruno G., Tondello E. Interrelation between nanostructure and optical properties of oxide thin films by spectroscopic ellipsometry // Surface and Coating Technology. – 2002. – Vol. 151-152. – P. 2-8.

Kim T.W., Lee D.U., Choo D.C. et al. Optical parameters in SnO2 nanocrystalline textured films grown on p-InSb (111) substrates // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 2002. – Vol. 63. – P. 881-885.

Tagliente M.A., Bello V., Pellegrini G., Mattei G., Mazzoldi P., Massaro M., Carbone D. Synthesis and characterization of SnO2 nanoparticles embedded in silica by ion implantation // Nuclear In-struments and Methods in Physics Research B. – 2010. – 268. – Р. 3063-3065.

Angelucci R., Poggi A., Dori L., Cardi-nali G.G., Parisini A., Tagliani A., Ma-riasaldi M., Cavani F. Permeated porous silicon for hydrocarbon sensor fabrication // Sensors and Actuators. – 1999. – Vol. 74. – Р. 95–99.

Аззам Р.М., Башара Н.М. Эллипсометрия и поляризованный свет. – М.: «Мир», 1981.

Антонюк В.Н., Дмитрук Н.Л., Медведева М.Ф. Эллипсометрия в науке и технике. – Новосибирск, Наука, 1987.

Angelucci R., Poggi A., Dori L. et al. Permeated porous silicon for hydrocarbon sensor fabrication // Sensors and Actuators. – 1999. – Vol. 74. – P. 95-99.

Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. – 1983. – Vol. 27, № 2. – Р. 985-1009.

Вашпанов Ю.А., Смынтына В.А. Адсорбционная чувствительность полупроводников. – Одесса: «Астропринт», 2005.

Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н. Адсорбционно-емкостная порометрия // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, Вып. 7. – C. 850-853.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-02-23

Номер

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори