АНОМАЛЬНО-ІНВЕРСОВАНИЙ ФОТОВЕНТИЛЬНИЙ ЕФЕКТ У КЛАСТЕРИЗОВАНІЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРІ

V. A. Drozdov, M. A. Drozdov, V. V. Kovalchuk

Анотація


Представлена робота присвячена дослідженню фізичних властивостей кремнієвих кластерів (К), дислокованих в інтерфейсі гетеропереходної матриці на основі кремнію та сірчистої міді. Виявлена низка перспективних в практичному плані ефектів, властивих даній системі і залежних від розмірів кластерів. Зокрема, представлені дані про аномальний спектрально-інверсований фотовентильний ефект (СФЕ), характерний для гетеропереходу pCu2 S-K-nSi при розмірах кластерів <10 Е. Запропоновано обґрунтований механізм СФЕ.

Ключові слова


гетероперехід; кластер; аномальний фотовентильний ефект

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Фоменко В.С., Подчерняева И.А.Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. Справочник// Под ред. чл. — корр. АН УССР Г.В.Самсонова. М.:Атомиздат,1975. — 321 с.

Дроздов В.А., Ковальчук В.В. Електронні процеси в наноструктурах с субфазим кремнієм//Журнал фізичних досліджень. — 2003. — т.7,№ 4. — С393-401.

Watanabe M.O., Kanayama T. Growth and transport of structure-controlled hydrogenated Si clusters for deposition on solid surface // Appl.Phys.A. — 1998. — v.66. — p.S1039-S1042




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112759

Copyright (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)