АНОМАЛЬНО-ІНВЕРСОВАНИЙ ФОТОВЕНТИЛЬНИЙ ЕФЕКТ У КЛАСТЕРИЗОВАНІЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРІ

Автор(и)

  • V. A. Drozdov Військова академія (Одеса), Україна
  • M. A. Drozdov Військова академія (Одеса), Україна
  • V. V. Kovalchuk Південноукраїнський національний педагогічний університет імені Костянтина Ушинського, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112759

Ключові слова:

гетероперехід, кластер, аномальний фотовентильний ефект

Анотація

Представлена робота присвячена дослідженню фізичних властивостей кремнієвих кластерів (К), дислокованих в інтерфейсі гетеропереходної матриці на основі кремнію та сірчистої міді. Виявлена низка перспективних в практичному плані ефектів, властивих даній системі і залежних від розмірів кластерів. Зокрема, представлені дані про аномальний спектрально-інверсований фотовентильний ефект (СФЕ), характерний для гетеропереходу pCu2 S-K-nSi при розмірах кластерів <10 Е. Запропоновано обґрунтований механізм СФЕ.

Посилання

Фоменко В.С., Подчерняева И.А.Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. Справочник// Под ред. чл. — корр. АН УССР Г.В.Самсонова. М.:Атомиздат,1975. — 321 с.

Дроздов В.А., Ковальчук В.В. Електронні процеси в наноструктурах с субфазим кремнієм//Журнал фізичних досліджень. — 2003. — т.7,№ 4. — С393-401.

Watanabe M.O., Kanayama T. Growth and transport of structure-controlled hydrogenated Si clusters for deposition on solid surface // Appl.Phys.A. — 1998. — v.66. — p.S1039-S1042

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-26

Номер

Том 3 № 4 (2006)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.