ПАРАМЕТРИ ТА МОДЕЛЮВАННЯ МОН-ТРАНЗИСТОРІВ СХЕМ ЗЧИТУВАННЯ ІЧ-ФПП
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112760Ключові слова:
МОН-транзистор, порогова напруга, рухливість, схеми зчитуванняАнотація
Були досліджені вольтамперні характеристики МОН-транзисторів при Т = 300 К та Т = 77 К. Проведено аналіз та порівняння різних методик визначення порогової напруги МОН-транзисторів при кімнатній та кріогенних температурах, а також обчислені рухливість та коефіцієнт зменшення рухливості носіїв заряду. Промодельовано функціонування транзисторів у рамках програми PSPICE для Т = 300 К та Т =77 К та проведено порівняння результатів моделювання з експериментом. Отримані данні дозволяють моделювати основні єлементи схем зчитування при Т = 77 К.Посилання
A. Rogalski, Infrared Detectors. Gordon and Breach Science Publishers, 2000.
J. — P. Chamonal, E. Mottin, P. Audebert, M. Ravetto, M. Caes, J. — P. Chatard, Long linear MWIR and LWIR HgCdTe arrays for high-resolution imaging, Proc. SPIE, v. 4130, 452–462 (2000).
Ph. Tribolet, Ph. Chorier, A. Manissadjian, P. Costa, J-P. Chatard, High performance infrared detectors at Sofradir, Proc. SPIE, v. 4028, 438–456 (2000).
F. F. Sizov, Yu. P. Derkach, V. P. Reva, Yu. G. Kononenko. MCT sensor readout devices with charge current injection and preliminary seagnal treatment. Testing procedure. Opto-Electronics Review, v.7, p.327-338 (1999).
F. F. Sizov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, S. V. Korinets. Composite readouts with TDI and “dead” elements deselection. Proc. SPIE, v.5074, p. 911 — 917 (2003).
D.P. Foty. MOSFET modeling with SPICE principles and practice, 1997, Prentice-Hal.
Terada K., Nishiyama K., Hatanaka K. — I. Comparison of MOSFET-threshold-voltage extraction methods// Solid-State Electronics. — 2001. — v. 45. — P. 35-40.
He J., Zhang X., Wang Y., and Huang R. New method of extraction of MOSFET parameters// IEEE Electron Device Letters. — 2001. — v. 22. — N 12. — P. 597-599.
Ortiz-Conde A., Sanchez F., and Liou J. J.. On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs// Journal of Telecommunications and Information Technology. — 2000. — v. 3-4. — P. 43-58.
Schrieffer J.R. Effective carrier mobility in surfacespace charge layers// Phys. Rev. — 1955. — v. 97. — N 3. — P. 641-646.
Glidden R.M., Lizotte S.C., Cable J.S., Mason L.W., Cao C. Optimization of cryogenic processes for Sub- 100 K applications.// Proc. SPIE, v. 6884 Infrared Readout Electronics (1992) p. 2-3.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
