ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВ

Автор(и)

  • I. M. Vikulin Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна
  • Sh. D. Kurmashev Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • V. A. Mingalov Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112797

Ключові слова:

фотоприймачі, одноперехідний транзистор, польовий транзистор

Анотація

В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в забороненій зоні кремнію.

Посилання

Викулин И.М., Стафеев В.В., Физика полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь, 1990. — 345 с.

Бабичев Г.Г. и др., Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 48-51.

Викулин И.М., Ильин С.В., Мингалев В.А., Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 46-47.

Зуев В.А., Попов В.Г., Фотоэлектрические МДП-приборы. — М.: Радио и связь. — 1993. — 298 с.

Иванов П.А., Челноков В.Е., Полупроводниковый карбид кремния — технология и приборы // ФТП. — 1999. — Т. 29, № 11. — С.1921-1943.

Курмашев Ш.Д., Градобоев А.А., Полевые транзисторы с инжекцией из истока // Фотоэлектроника. — 1999. — № 8. — С. 45-46

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-26

Номер

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори