ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112797Ключові слова:
фотоприймачі, одноперехідний транзистор, польовий транзисторАнотація
В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в забороненій зоні кремнію.Посилання
Викулин И.М., Стафеев В.В., Физика полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь, 1990. — 345 с.
Бабичев Г.Г. и др., Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 48-51.
Викулин И.М., Ильин С.В., Мингалев В.А., Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 46-47.
Зуев В.А., Попов В.Г., Фотоэлектрические МДП-приборы. — М.: Радио и связь. — 1993. — 298 с.
Иванов П.А., Челноков В.Е., Полупроводниковый карбид кремния — технология и приборы // ФТП. — 1999. — Т. 29, № 11. — С.1921-1943.
Курмашев Ш.Д., Градобоев А.А., Полевые транзисторы с инжекцией из истока // Фотоэлектроника. — 1999. — № 8. — С. 45-46
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
