DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112797

ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВ

I. M. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, V. A. Mingalov

Анотація


В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в забороненій зоні кремнію.

Ключові слова


фотоприймачі; одноперехідний транзистор; польовий транзистор

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Викулин И.М., Стафеев В.В., Физика полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь, 1990. — 345 с.

Бабичев Г.Г. и др., Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 48-51.

Викулин И.М., Ильин С.В., Мингалев В.А., Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 46-47.

Зуев В.А., Попов В.Г., Фотоэлектрические МДП-приборы. — М.: Радио и связь. — 1993. — 298 с.

Иванов П.А., Челноков В.Е., Полупроводниковый карбид кремния — технология и приборы // ФТП. — 1999. — Т. 29, № 11. — С.1921-1943.

Курмашев Ш.Д., Градобоев А.А., Полевые транзисторы с инжекцией из истока // Фотоэлектроника. — 1999. — № 8. — С. 45-46




Copyright (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)