НАПІВПРОВІДНИКОВІ ФОТОПРИЙМАЧІ ДЛЯ ЗАСТОСУВАННЯ В ХЕМОЛЮМІНОМЕТРАХ ТА БІОСЕНСОРАХ НА ОСНОВІ ЕФЕКТУ ХЕМІЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112803Ключові слова:
люмінометр, хемілюмінесценція, біосенсор, напівпровідник, флуоресценція, фотоприймачАнотація
Представлено аналітичний огляд конструктивно-технологічних рішень для створення та характеристик напівпровідникових фотоприймачів при розробці хемілюмінометрів та біосенсорів на основі хемілюмінесценції.Посилання
Стародуб Н.Ф., Стародуб В.Н. Биосенсоры и контроль пестицидов в воде и пищевых продуктах //Химия и технология воды. — 2001. — Т.23, №6. — С.612-638.
Стародуб Н.Ф., Стародуб В.Н. Экспрессный контроль токсичных веществ и патогенных микроорганизмов. Имунный анализ Starodub N.F., Nazarenko V.I., Ivashkevich S.P. et al. Principles of express instrumental control of total toxicity of environmental objects and their realization in space conditions // Proc. Of 36-th Intern. Conf. on Environmental Systems, July 17-20, 2006,
Norfolk. Virginia, USA, Article 2260. — P. 1-9.
Starodub N.F., Melnik V.G., Shmyryeva O.M. Instrumental approaches and peculiarities of design of stationary and portable analytical devices for determination of bio- and chemiluminescence // Ibid, Article 2210. — P.1-5.
Ганшин В.М., Данилов B.C. Клеточные сенсоры на основе бактериальной биолюминесценции // Сенсорные системы. — 1997. — Т.11, вып.3. — С. 245 — 255.
Владимиров Ю. А. Активированная хемилюминесценция и биолюминесценция как инструмент в медико-биологических исследованиях // Соросовский образовательный журнал. — 2001. — Т. 7, вып. 1. — С. 16 — 23.
Мирзабеков А.Д. Биочипы в биологии и медицине ХХI века // Вестник Российской Академии Наук. — 2003. — Т. 73, вып. 5. — С. 412 — 416.
Алферов В.А., Понаморева О.Н., Решетилов А.Н. и др. Биосенсоры. Медицинские, биотехнологические и экологические аспекты // Вестник новых медицинских технологий. — 1999. — Т. 6, вып. 3 — 4. — С. 45 — 47.
Ганшин В.М. Данилов B.C. Бактериальные биосенсоры с биолюминесцентным выводом информации // Сенсорные системы. — 1998. — Т.12, вып.1. — С. 56 — 68.
Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая электроника. — М.:Мир,1976. — 431 с.
Свечников С.В. Элементы оптоэлектроники. — М.: Советское радио,1971. — 270с.
Фрайден Дж. Современные датчики. — М.: Мир, 2005. — 588 с.
Стафеев В.И. Полупроводниковые фотоприемники. — М.: Радио и связь, 1984. — 216 с.
Тсанга У. Техника оптической связи. Фотоприемники. — М.: Мир, 1988. — 526 с.
Ермаков О.Н. Прикладная оптоэлектроника. — М.: Техносфера., 2004. — 414 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — 455 с.
Окоси Т. Волоконно-оптические датчики. — Л.: Энергоатомиздат, 1991. — 256с.
Милнс А., Фойхт Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник. — М.: Мир, 1975. — 432 с.
Семикина Т. В., Шмырева А. Н., Якименко Ю. И., Борисов А. В. Полупроводниковый датчик УФ- излучения на основе α-С/Si гетероперехода. // Оптоэлектроника. — 1998. — выпуск. 33. − С. 163-167.
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. — М.: Советское радио, 1979. — 232 с.
Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем МДП. — Киев: Наукова Думка, 1978. — 313 с.
Колежук К.В., Комащенко А.В., Май Н.О., Павелец С.Ю., Шереметова Г.И Селективные и широкополосные полупроводниковые сенсоры ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучений // Сборник тезисов “Физические, химические и биологические сенсоры” четвертого Международного семинара “Российские технологии для индустрии”, Санкт-Петербург, 29-31 мая. — 2000. — С.188-189.
Марченко А. Н., Свечников С. В., Смовж А. К. Полупроводниковые сенсорные потенциометпрические элементы. — М.: Радио и связь, 1988. — 192 с.
Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. — М.: Радио и связь, 1989. — 360 с.
Бусурин В.И., Носов Ю.Р. Волоконно-оптические датчики: физические основы, вопросы расчета и применения. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 252 с.
Шмырева А.Н., Якименко Ю.И., Кирпатенко Л.Т. Кремниевые МДП — и ПДП — солнечные элементы // Гелиотехника. — 1982. — 50. — С.16-22.
Шмырева А.Н., Кирпатенко Л.Т. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-структур
Амброзяк А. Конструкция и технология по- лупроводниковых фотоэлектрических приборов. — М.: Советское радио,1970. — 356 с.
Шмырева А.Н., Иващук А.И. Фотоэлектричекие свойства МДП-фототранзисторов при высоких уровнях светового возбуждения // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, №9. — С.1835-1838.
Haberstroh K. Fluorescence measurement — ready for routine use // Proc. of the OPTO Conference. — 2006. — P.85-86.
Lerner E.J. Infrared array detectors create thermal images //Laser focus world. — 1996. — v.32, N 10. — P.93-102.
Lacaita A., Francese P.A., Zappa P.A., Cova S. Single photon detection beyond 1 micron: performance of commercially available germanium photodiodes //Appl. Optics. — 1994. — v.33, N 30. — P.6902- 6918.
Saaf L.A., Morris G.M. // Appl. Optics. — 1995. — v.34, N.20. — P.3963- 3970.
Воронов В.В., Какоулин М.И., Костюков Е.В., Кузнецов Ю.А. и др. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью — современная элементная база фотонных систем //Электронная промышленность. — 2003. — 2. — С.155-168.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
