АКУСТОЕЛЕКТРОННІ СЕНСОРИ НА РЕЗОНАТОРАХ НІОБАТУ ЛІТІЮ

Автор(и)

  • V. V. Kurylyuk Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • A. M. Gorb Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • O. I. Polovina Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • O. A. Korotchenkov Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна https://orcid.org/0000-0003-0195-3252

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.4.112804

Ключові слова:

акустоелектронний сенсор, п’єзоелектричний резонатор, структура п’єзоелектрик-напівпровідник, ніобат літію

Анотація

В роботі запропоновано акустоелектронний сенсор типу п’єзоелектрик-напівпровідник. Експериментально показано, що резонансні частоти такої структури зменшуються зі збільшенням концентрації носіїв заряду в напівпровідниковому шарі. Спостережуваний ефект обумовлений взаємодією між носіями заряду та п’єзоелектричними полями на межі поділу п’єзоелектрик-напівпровідник. За допомогою варіаційного методу Релея-Рітца проведено теоретичні розрахунки поверхневих розподілів пружних та п’єзоелектричних полів для деяких власних частот тривимірного п’єзоелектричного шару LiNbO3, який може бути використаний у такому сенсорі.

Посилання

Caliendo C., Verona E., Anisimkin V. I., Acoustic wave sensors: design, sensing mechanisms and applications // Smart Mater. Struct. — 1997. — Vol. 6. — P. 647-657.

Benes E., Groschl M., Burger W., and Schmid M., Sensors based on piezoelectric resonators // Sens. Actuators A. — 1995. — Vol. 48. — P. 1–21.

Колесников А. Е., Акустические измерения. — Л.: Судостроение, 1983. — 256 с.

Wohltjen H. et al., Acoustic Wave Sensor — Theory, Design, and Physico-Chemical Applications. — San Diego: Academic Press, 1997. — 390 c.

Murali Krishna G., and Rajanna K., Tactile Sensor Based on Piezoelectric Resonance // IEEE Sensors Journal. — 2004. — Vol. 4. — No. 5. — P. 691-697.

Reindl L. et al., Passive Radio Requestable SAW Water Content Sensor // Proc Ultrasonics Symposium. — 1999. — Vol. 1. — P. 461-466.

Nadtochii A. B., Korotchenkov O. A., and Grimmeiss H. G., Acoustically pumped stimulated emission in GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 67. — P. 125301-1 — 125301-5.

Бурлий П. В., Кучеров И.Я., Левченко А.А., Пьезоэлектрические поля в слоистых структурах полупроводник — пьезодиэлектрик — полупроводник // УФЖ.. — 1988. — Т.33. — №1. — С. 144- 151.

Lerch R., Simulation of piezoelectric devices by two- and three-dimensional finite elements // IEEE Trans. on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. — 1990. — Vol. 37. — ¹ 3. — P. 233 — 247.

Holland R., Eer Nisse E., Variational evaluation of admittances of multielectroded three-dimensional piezoelectric structures // IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics. — 1968. — Vol. 15. — P. 119 — 132.

Polovina O. I., Kurylyuk V. V., Korotchenkov O. A., Variational computation of a vibrating lithium niobate rectangular plate // cond-mat/0604337- 2006.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-26

Номер

Розділ

Акустоелектронні сенсори