ДОСЛIДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОФIЗИЧНИХ ПАРАМЕТРIВ КРЕМНIЄВИХ P-I-N ФОТОДIОДIВ

Анотація

Досліджено електрофiзичнi параметри тестових структур на високоомному кремнiї, якi сформованi в процесi виготовлення p-i-n фотодiодiв. З допомогою тестових МДН структур спецiальної конструкцiї визначено практично важливi характеристики систем Si-SiO2 та SiSiO2-Si3N4, якi характеризують якiсть кремнiю та мiжфазової границi роздiлу дiелектрик — напiвпровiдник: швидкiсть поверхневої генерацiї Sg, об’ємний генерацiйний час життя неосновних носiїв заряду у кремнiї τg, а також значення фiксованого заряду Qss та рухомого заряду у дiєлектрику Qi . Встановлено вплив типу дiелектрика на величину Sg та напруги на дiелектрику на швидкiсть генерацiї неосновних носiїв заряду у МДН структурах. Виявлено взаємозв’язок величин рухомого заряду з рівнем зворотніх струмів діодів. Показано високу iнформативнiсть застосованих конструкцiй тестових МДН структур і використаної методології контролю якості технології при розробці та виготовленні p-i-n
фотодiодiв.