АНОМАЛЬНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СТЕКОЛ В ОКОЛІ ТЕМПЕРАТУРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.1.113357Ключові слова:
халькогенідні стекла, діелектричні властивості, кристалізація, сегнетоситалиАнотація
Досліджені температурні залежності діелектричних параметрів халькогенідних стекол на основі сульфойодиду сурми. Показано, що аномалії на залежності ε і tgδ пов’язані з переходом стекол у полярний стан і наступною їх кристалізацією. Кристалізація стекол супроводжується різким зростанням діелектричних параметрів, обумовленим утворенням у склоподібній матриці кристалічних включень, наділених сегнетоелектричними властивостями. Розміри кристалічних включень і величина діелектричної проникності залежать від умов термообробки.
Посилання
Герзанич Е.И, Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа АVBVICVII. — М.: Наука, 1982. — 228 с.
Audzijonis A., Grigas J., Kajokas A.,Kvedaravieius S., Paulikas V. Origin of ferroelectricity in SbSI // Ferroelectrics. — 1998. — V.219. — P.37-45.
Rubish V.M. Thermostimulated relaxation of SbSI glass structure // J. of Optoelectronics and Advanced Mаt. — 2001. — V.3, №4. — P.941-944.
Rubish V.M., Dobosh M.B., Rubish, V.V., Shtets P.P., Horvat A.A. Ferroelectric glass-ceramic based on
glasses of antimony-sulphur-iodine system // Abst. VI Ukrainian — Polish and II East — European Meeting on Ferroelectrics Physics (UPEMEP 2002). — Uzhgorod — Synjak, Ukraine. — 2002. — P.79
Шпак А.П., Рубіш В.М. Склоутворення і властивості сплавів в халькогенідних системах на основі миш’яку та сурми. — К.: ІМФ НАНУ, 2006. — 120с.
Rubish V.M., Dobosh M.B., Shtets P.P., Shpak I.I., Rubish V.V., Yurkin I.M., Semak D.G., Fede lesh V.I. Crystallization parameters of non-crystalline antimony chalcogenides // J. Phys.Studies. — 2004. — V.8, №2. — P.178-182.
Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. — М.: Мир, 1986. — 556 с.
Рубіш В.М., Гуранич О.Г., Леонов Д.С. Формування сегнетоелектричних включень в матриці
халькогенідного скла // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2005. — Т.3, №4. — С.911-920.
Шпак А.П., Рубиш В.М., Гуранич О.Г. Наноструктурные материалы на основе халькогенидных стекол // Мат. Міжнар. науково-практ. конф. “Структурна релаксація у твердих тілах”. — Вінниця, Україна. — 2006. — С.97-98.
Shpak A.P., Rubish V.M., Mykaylo O.A., Guranich O.G., Rubish V.V., Stefanovich V.A., Guranich P.P., Rigan M.Yu. Nanostructural ferroelectric materials basis on chalcogenide glasses // Abstr. 1st Intern. Symposium on Innovations in Advanced Materials
for Electronics & Optics (ISIAMEO — 1). — La Rochell, France. — 2006. — V.3. — P.7.
Шпак А.П., Рубіш В.М. Наноструктурні сегнетоелектричні матеріали на основі халькогенідних
стекол // Тези доповідей 2-ої Міжнар. науковотехн. конф. “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ — 2)”. — Одеса, Україна. — 2006. — С.34.
Рубиш В.М., Гуранич О.Г., Стефанович В.А., Гасинец С.М., Шпирко Г.М., Штец П.П., Гуранич П.П. Динамика структуры и оптических параметров стекол системы As2 S3 -SbSI. // Мат. Між нар. науково-практ. конф. “Структурна релаксація у твердих тілах”. — Вінниця, Україна. — 2006. — С.144-145.
Grigas J., Talik E., Lazauskas V. Spliting of the XPS in ferroelectric SbSI crystals // Ferroelectrics. — 2003. — V.284. — P.147-160.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
