ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ

Автор(и)

  • Yo. V. Goltvyansciy Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • V. F. Machoulin Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • Ya. M. Olih Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • V. G. Popov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • B. M. Romanjuc Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113439

Ключові слова:

Si-сенсори УФ випромінення, імплантація, акустичні хвилі

Анотація

Досліджено спектральні характеристики кремнієвих сенсорів видимого та ультрафіолетового (УФ) випромінювання. Показано, що фото чутливість сенсорів виготовлених методом акустостимульованої імплантації йонів В та As, в ближній УФ області спектру на порядок перевищує чутливість аналогічних сенсорів, виготовлених без ультразвукової обробки. Дослідження профілів залягання імплантованих домішок показують, що у випадку домішки В даний ефект пояснюється зменшенням глибини p-n переходу, а у випадку As — зменшенням концентрації рекомбінаційно-активних центрів в області емітера та/або збільшенням електричної активації домішки. Запропоновано пояснення фізичних механізмів спостережуваних ефектів.

Посилання

Rucker H., Heinemann B., Barth R. et al. Formation of shallow source/drain extensions for metal-oxidesemiconductor field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. – 2003 – v.82, N 5 – P.826-828

Kruger D., B. Heinemann, Melnik V. et al. Diffusion and segregation of shallow As and Sb junctions in silicon // J. Vac. Sci Technol. – 2004 – v. B22, N 1 – P.455-458

Romanjuk B., Kruger D., Melnik V. et al. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semicond. Phys. Quantum Electron. & Optoelectron. – 2000 – v.3, N 1 – P.15-184.

Мачулін В.Ф., Лепіх Я.І., Оліх Я.М., Романюк Б.М. Акустойонні та акустоелектронні технології. Вісник НАН України. – 2007, № 5, С. 3-10.

Kruger D., Romanyuk B., Olikh Ya. et al. Influence of in situ ultrasound treatment during ion implantation on amorphization and junction formation in silicon // J. Vac. Sci. Technol. – 2002 – v.B20, N 4 – P1448- 1451

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-05-29

Номер

Том 4 № 2 (2007)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.