ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113439Ключові слова:
Si-сенсори УФ випромінення, імплантація, акустичні хвиліАнотація
Досліджено спектральні характеристики кремнієвих сенсорів видимого та ультрафіолетового (УФ) випромінювання. Показано, що фото чутливість сенсорів виготовлених методом акустостимульованої імплантації йонів В та As, в ближній УФ області спектру на порядок перевищує чутливість аналогічних сенсорів, виготовлених без ультразвукової обробки. Дослідження профілів залягання імплантованих домішок показують, що у випадку домішки В даний ефект пояснюється зменшенням глибини p-n переходу, а у випадку As — зменшенням концентрації рекомбінаційно-активних центрів в області емітера та/або збільшенням електричної активації домішки. Запропоновано пояснення фізичних механізмів спостережуваних ефектів.Посилання
Rucker H., Heinemann B., Barth R. et al. Formation of shallow source/drain extensions for metal-oxidesemiconductor field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. – 2003 – v.82, N 5 – P.826-828
Kruger D., B. Heinemann, Melnik V. et al. Diffusion and segregation of shallow As and Sb junctions in silicon // J. Vac. Sci Technol. – 2004 – v. B22, N 1 – P.455-458
Romanjuk B., Kruger D., Melnik V. et al. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semicond. Phys. Quantum Electron. & Optoelectron. – 2000 – v.3, N 1 – P.15-184.
Мачулін В.Ф., Лепіх Я.І., Оліх Я.М., Романюк Б.М. Акустойонні та акустоелектронні технології. Вісник НАН України. – 2007, № 5, С. 3-10.
Kruger D., Romanyuk B., Olikh Ya. et al. Influence of in situ ultrasound treatment during ion implantation on amorphization and junction formation in silicon // J. Vac. Sci. Technol. – 2002 – v.B20, N 4 – P1448- 1451
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
