МОДЕЛЮВАННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ В p – p+ ПЕРЕХОДІ КРЕМНІЄВОГО ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧА
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113557Ключові слова:
поверхнева рекомбінація, носії заряду, фотоперетворювач, р – р перехідАнотація
Описано модель визначення швидкості поверхневої рекомбінації неосновних носіїв заряду в p – p+ переході кремнієвого фотоперетворювача. Враховані головні фактори, що впливають на величину рекомбінації. Проведена перевірка моделі показала повну відповідність до експериментальних результатів.Посилання
Fossum J.G., Lindholm F.A., Shibib M.A. The importance of surface recombination and energybandgap narrowing in p-n-junction silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1979. – V. ED-26, –¹9. — Ð.1294-1298.
Cid M., Ruiz J.M. Study of injection effects on BSF silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. –1989. — V. ED-36, –¹9. — Ð.507-513.
Pelanchon F., Mialhe P. Optimization of solar cell performance // Solid-State Electronics. — 1990. — V.33, –¹ 1. — P.47-51.
Green M.A. Silicon solar cells: evolution, high efficiency design and efficiency enhancements // Semicond. Sci. Technol. — 1993. — V.8, –P.1-12.
Киреев П.С. Физика полупроводников. — М., 1969. — 592 с.
Neugroschel A. Determination of lifetimes and recombination currents in p-n junction solar cells, diodes and transistors// IEEE Trans. on Electron Devices. — 1981. — V. ED-28, –¹1. — Ð.108-115.
Rose B.H. Minority-carrier lifetime measurements on silicon solar cells using Isc and Voc transient decay // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1984. — V. ED-31, –¹5. — Ð.559-565.
Soliman M.Y., Habib S.E. — D. Surface recombination velocity in MINP solar cells // Solid- State Electronics. — 1987. — V.30, –¹6. — P.663- 666.
Jain S.C., Tsao J., Kerwin W.J. The spectral response and efficiency of heavily doped emitters in silicon photovoltaic devices // Solid-State Electronics. — 1987. — V.30. — ¹9. — P.927-937.
Rohatgi A.R., Ray-Choudhury P. An approach toward 20-percent-efficiency silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1986. — V. ED-33. — ¹1. — Ð.1-7.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М., 1984. — 456 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
