DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113557

МОДЕЛЮВАННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ В p – p+ ПЕРЕХОДІ КРЕМНІЄВОГО ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧА

S. L. Khripko

Анотація


Описано модель визначення швидкості поверхневої рекомбінації неосновних носіїв заряду в p – p+ переході кремнієвого фотоперетворювача. Враховані головні фактори, що впливають на величину рекомбінації. Проведена перевірка моделі показала повну відповідність до експериментальних результатів.

Ключові слова


поверхнева рекомбінація; носії заряду; фотоперетворювач; р – р+ перехід

Повний текст:

PDF

Посилання


Fossum J.G., Lindholm F.A., Shibib M.A. The importance of surface recombination and energybandgap narrowing in p-n-junction silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1979. – V. ED-26, –¹9. — Ð.1294-1298.

Cid M., Ruiz J.M. Study of injection effects on BSF silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. –1989. — V. ED-36, –¹9. — Ð.507-513.

Pelanchon F., Mialhe P. Optimization of solar cell performance // Solid-State Electronics. — 1990. — V.33, –¹ 1. — P.47-51.

Green M.A. Silicon solar cells: evolution, high efficiency design and efficiency enhancements // Semicond. Sci. Technol. — 1993. — V.8, –P.1-12.

Киреев П.С. Физика полупроводников. — М., 1969. — 592 с.

Neugroschel A. Determination of lifetimes and recombination currents in p-n junction solar cells, diodes and transistors// IEEE Trans. on Electron Devices. — 1981. — V. ED-28, –¹1. — Ð.108-115.

Rose B.H. Minority-carrier lifetime measurements on silicon solar cells using Isc and Voc transient decay // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1984. — V. ED-31, –¹5. — Ð.559-565.

Soliman M.Y., Habib S.E. — D. Surface recombination velocity in MINP solar cells // Solid- State Electronics. — 1987. — V.30, –¹6. — P.663- 666.

Jain S.C., Tsao J., Kerwin W.J. The spectral response and efficiency of heavily doped emitters in silicon photovoltaic devices // Solid-State Electronics. — 1987. — V.30. — ¹9. — P.927-937.

Rohatgi A.R., Ray-Choudhury P. An approach toward 20-percent-efficiency silicon solar cells // IEEE Trans. on Electron Devices. — 1986. — V. ED-33. — ¹1. — Ð.1-7.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М., 1984. — 456 с.




Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)