ВПЛИВ АДСОРБЦІЇ ГАЗІВ ТА рН РОЗЧИНІВ НА ВИПРОМІНЮВАЛЬНИЙ ЧАС ЖИТТЯ МОДИФІКОВАНИХ ШАРІВ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113785Ключові слова:
поруватий кремній, фотолюмінесценція, адсорбція, буферні розчиниАнотація
Було досліджено кінетику фотолюмінесценції та час життя випромінювальної рекомбінації модифікованих шарів поруватого кремнію в умовах адсорбції насичених органічних парів та буферних розчинів з різними значеннями pH. Щойно виготовлені зразки поруватого кремнію було порівняно із зразками, що було окислено та покрито шаром полі-3,4-етилдиокситиофену. Запропоновано новий тип трансдюсера, що базується на вимірі випромінювального часу життя, що чутливий до рівня pH. Спостерігається зменшення у 1.9 разів випромінювального часу життя S-смуги при зміні pH з 2 до 9.Посилання
Properties of Porous Silicon, ed L. Canham, Emis, N18, INSPEC, UK. — 1997.
S. Fellah, F. Ozanam, N. Gabouze, J. — N. Chazalviel // Phys.Stat.Sol. (a) — 2000. — 182. — P. 367.
H. A. Lopez, X. L. Chen, S. A. Jenekne, P. M. Fauchet // J.Lum. — 1999. — 80. — P. 115.
V.A.Skryshevsky // Appl.Surf.Sci. — 2000. — 157. — P. 145-150.
A. P. Soldatkin, A. V. El’skaya, A. A. Shul’ga, L. I. Netchiporouk, A. M. Nyamsi Hendji, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet // Anal Chim Acta. — 1993. — 283. — P. 695.
B. Valeur, Molecular Fluorescence // Wiley-VCH, Weinheim. — 2002.
O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi // Surface Sci.Reports, — 2000. — 38. — P. 1-126.
B. Ma, J. — H. Lii, N. L.Allinger // J.Computational Chemistry. — 2000. — 21. — P. 813.
S. M. Sze, Semiconductor Sensors // John Wiley &Sons, Inc, N.Y. — 1994.
J. W. Bakker, H. Arwin, G. Wang, K.Jarrendahl // Phys.Stat.Sol. (a) — 2003. — 197. — P. 378.
V.A.Skryshevsky, V.M.Zinchuk, A.I.Benilov, Yu.S.Milovanov, O.V.Tretyak // Semicond. Sci. Technol. — 2006. — 21. P.1605.
O.V. Tretyak, V.A.Skryshevsky, V.A.Vikulov, Yu.V.Boiko, V.M.Zinchuk // Thin Solid Films — 2003. — 445. P. 144.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
