DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113785
ВПЛИВ АДСОРБЦІЇ ГАЗІВ ТА рН РОЗЧИНІВ НА ВИПРОМІНЮВАЛЬНИЙ ЧАС ЖИТТЯ МОДИФІКОВАНИХ ШАРІВ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ
Анотація
Ключові слова
Повний текст:
PDF (English)Посилання
Properties of Porous Silicon, ed L. Canham, Emis, N18, INSPEC, UK. — 1997.
S. Fellah, F. Ozanam, N. Gabouze, J. — N. Chazalviel // Phys.Stat.Sol. (a) — 2000. — 182. — P. 367.
H. A. Lopez, X. L. Chen, S. A. Jenekne, P. M. Fauchet // J.Lum. — 1999. — 80. — P. 115.
V.A.Skryshevsky // Appl.Surf.Sci. — 2000. — 157. — P. 145-150.
A. P. Soldatkin, A. V. El’skaya, A. A. Shul’ga, L. I. Netchiporouk, A. M. Nyamsi Hendji, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet // Anal Chim Acta. — 1993. — 283. — P. 695.
B. Valeur, Molecular Fluorescence // Wiley-VCH, Weinheim. — 2002.
O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi // Surface Sci.Reports, — 2000. — 38. — P. 1-126.
B. Ma, J. — H. Lii, N. L.Allinger // J.Computational Chemistry. — 2000. — 21. — P. 813.
S. M. Sze, Semiconductor Sensors // John Wiley &Sons, Inc, N.Y. — 1994.
J. W. Bakker, H. Arwin, G. Wang, K.Jarrendahl // Phys.Stat.Sol. (a) — 2003. — 197. — P. 378.
V.A.Skryshevsky, V.M.Zinchuk, A.I.Benilov, Yu.S.Milovanov, O.V.Tretyak // Semicond. Sci. Technol. — 2006. — 21. P.1605.
O.V. Tretyak, V.A.Skryshevsky, V.A.Vikulov, Yu.V.Boiko, V.M.Zinchuk // Thin Solid Films — 2003. — 445. P. 144.
Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)