ГАРМОНІЧНІ МЕП-ДІОДИ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.113799Ключові слова:
міждолинне електронне перенесення, вищі гармоніки, ефект Ганна, локально-польова модель, GaAs, параметр n0LАнотація
В роботі представлено результати теоретичного (на базі локально-польової моделі ефекту Ганна) і експериментального аналізу можливості оптимізації параметра n0 L напівпровідникових структур з міждолинним електронним перенесенням по критерію максимальної потужності в режимах з виділенням вищих гармонік. Показано, що потужність генерації на другій гармоніці GaAs-діодов Ганна з параметром n0 L=(3-4)x1012 см-2 значно (приблизно в 5 разів) вище за потужність, що генерується структурами з n0 L=(1 2)x1012 см-2.
Посилання
Плаксин С. В., Погорелая Л. М., Соколовский И. И. Физические основы построения быстродействующих информационно-управляющих систем на электрически активных полупроводниках // Сенсорная электроника и
микросистемные технологии. — 2006. — № 2. — С. 47-58.
Москалюк В. О. Фізика електронних процесів: Динамічні процеси. — Київ: “Політехніка”, 2004. — 178 с.
Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. М: Мир, 1991. — 632 с.
Костылев С. А., Гончаров В. В., Соколовский И. И., Челядин А. В. Полупроводники с объемной отрицательной проводимостью в СВЧ полях. — Киев: Наукова думка, 1987. — 141 с.
Левинштейн М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С. Эффект Ганна. — М.: Сов. радио, 1975. — 288 с.
Баскаков С. И. Радиотехнические цепи и сигналы. — М.: Высшая школа, 1988. — 448 с.
Гоноровский И. С. Радиотехнические цепи и сигналы. — М.: Сов. радио, 1964. — 695с.
Rees H. D. Time response of the high-field electron distribution function in GaAs // IBM J. of Res. and Development. — V.13. — 1969, N 9. — P. 537-542.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
