ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ FINFET СТРУКТУР

T. E. Rudenko, V. I. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, D. Flandre

Анотація


Досліджено електричні властивості транзисторних структур типу FinFET (fin field-effecttransistor). Ці структури вважаються найбільш перспективними для створення нано-розмірних метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзисторів і інтегральних схем завдяки значному послабленню коротко-канальних ефектів. Досліджено вплив геометричних розмірів структури на характеристики транзисторів. Особливу увагу приділено рухливості носіїв в інверсійному каналі FinFET структур.

Ключові слова


метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзистор; кремній на ізоляторі (КНІ); нано-розмірні прилади; FinFET (fin field-effect-transistor).

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


Hisamoto D., Lee W. — C, Kedzierski J., Takeuchi H., Asano K., Kuo C., Anderson E., King T. — J., Bokor J., and. Hu C. FinFET — A self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm // IEEE Trans. Electron Devices. — 2000. — Vol. 47. — P. 2320-2325.

Park J. — T., Colinge J. — P. Multi-gate SOI MOSFETs: Device design guidelines // IEEE Trans. Electron Devices. — 2002. — Vol. 49. — P. 2222-2229.

Yu B., Chang L., Ahmed S., Wang H., Bell S., Yang C. — Y., Tabery C., Ho C., Xiang Q., King T. — J., Bokor J., Hu C., Lin M. — R., and Kyser D. FinFET scaling to 10 nm gate length // IEDM Tech. Dig. — 2002. — P. 251-254.

Collaert N. et al. Tall triple-gate device with TiN/ HfO2 gate stack // Symposium on VLSI Technology. — 2005. — P. 108-109.

Romanjek K., Andrieu F., Ernst T., and Ghibaudo G. Improved split C-V method for effective mobility extraction in sub-0.1-μm Si MOSFETs // IEEE Electron Device Letters. — 2004. — Vol. 25. — P. 583- 585.

Rudenko T., Collaert N., Gendt S. De, Kilchytska V., Jurczak M., and Flandre D. Effective mobility in FinFET structures with HfO2 and SiON gate dielectrics and TaN gate electrode // Microelectronic Engineering. — 2005. — Vol. 80. — P. 386-389.

Rudenko T., Kilchytska V., Collaert N., Gendt S. De, Rooyackers R., Jurczak M., Flandre D. Specific features of the capacitance and mobility behaviors in FinFET structures // Proc. ESSDERC 2005 Conference — Grenoble (France) -2005. — P. 85- 88.

Esseni D., Mastrapasqua M., Celler G.K.,. Baumann F.H, Fiegna C., Selmi L. and Sangiorgi E. Low field mobility of ultra-thin SOI n- and p-MOSFETs: Measurements and implications on the performance of ultra-short MOSFETs // IEDM Tech. Dig. — 2001. — P. 671-674.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.113979

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)