ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ FINFET СТРУКТУР

Автор(и)

  • T. E. Rudenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • V. I. Kilchytska Лувенский католицький університет Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • N. Collaert Міжуніверситетський мікроелектронічний центр, Belgium
  • M. Jurczak Міжуніверситетський мікроелектронічний центр, Belgium
  • A. N. Nazarov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • V. S. Lysenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • D. Flandre Лувенский католицький університет, Belgium

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.113979

Ключові слова:

метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзистор, кремній на ізоляторі (КНІ), нано-розмірні прилади, FinFET (fin field-effect-transistor).

Анотація

Досліджено електричні властивості транзисторних структур типу FinFET (fin field-effecttransistor). Ці структури вважаються найбільш перспективними для створення нано-розмірних метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзисторів і інтегральних схем завдяки значному послабленню коротко-канальних ефектів. Досліджено вплив геометричних розмірів структури на характеристики транзисторів. Особливу увагу приділено рухливості носіїв в інверсійному каналі FinFET структур.

Посилання

Hisamoto D., Lee W. — C, Kedzierski J., Takeuchi H., Asano K., Kuo C., Anderson E., King T. — J., Bokor J., and. Hu C. FinFET — A self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm // IEEE Trans. Electron Devices. — 2000. — Vol. 47. — P. 2320-2325.

Park J. — T., Colinge J. — P. Multi-gate SOI MOSFETs: Device design guidelines // IEEE Trans. Electron Devices. — 2002. — Vol. 49. — P. 2222-2229.

Yu B., Chang L., Ahmed S., Wang H., Bell S., Yang C. — Y., Tabery C., Ho C., Xiang Q., King T. — J., Bokor J., Hu C., Lin M. — R., and Kyser D. FinFET scaling to 10 nm gate length // IEDM Tech. Dig. — 2002. — P. 251-254.

Collaert N. et al. Tall triple-gate device with TiN/ HfO2 gate stack // Symposium on VLSI Technology. — 2005. — P. 108-109.

Romanjek K., Andrieu F., Ernst T., and Ghibaudo G. Improved split C-V method for effective mobility extraction in sub-0.1-μm Si MOSFETs // IEEE Electron Device Letters. — 2004. — Vol. 25. — P. 583- 585.

Rudenko T., Collaert N., Gendt S. De, Kilchytska V., Jurczak M., and Flandre D. Effective mobility in FinFET structures with HfO2 and SiON gate dielectrics and TaN gate electrode // Microelectronic Engineering. — 2005. — Vol. 80. — P. 386-389.

Rudenko T., Kilchytska V., Collaert N., Gendt S. De, Rooyackers R., Jurczak M., Flandre D. Specific features of the capacitance and mobility behaviors in FinFET structures // Proc. ESSDERC 2005 Conference — Grenoble (France) -2005. — P. 85- 88.

Esseni D., Mastrapasqua M., Celler G.K.,. Baumann F.H, Fiegna C., Selmi L. and Sangiorgi E. Low field mobility of ultra-thin SOI n- and p-MOSFETs: Measurements and implications on the performance of ultra-short MOSFETs // IEDM Tech. Dig. — 2001. — P. 671-674.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-10-02

Номер

Том 4 № 3 (2007)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.