ДВОСТОРОННІЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ СВІТЛОВОЇ ЕНЕРГІЇ В ЕЛЕКТРИЧНУ НА ОСНОВІ ІЗОТИПНИХ ПЕРЕХОДІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.114001Ключові слова:
двосторонній сонячний елемент, ізотипний перехід, шари ІTO, піролітична пульверизаціяАнотація
Розроблено спосіб отримання двосторонніх сонячних елементів n+Sі/nSі/SіO2/n+ІTO на основі ізотипних переходів методом піролітичної пульверизації. Область спектральної чутливості розробленої структури розташована в інтервалі довжин хвиль 350-1200нм і не залежить від напрямку освітлення. Основні параметри для елемента на основі КЭФ-4,5 наступні: при фронтальному освітленні Vxx=0,425В, Ікз=32,63мА/cм2, FF=68,3%, к.к.д.=9,47%; при тильному освітленні Vxx=0,392В, Ікз=13,20 мА/cм2, FF=69,3%, к.к.д.=3,60%.
Посилання
Cuevas A., The Early History of Bifacial Solar Cells //Proc of the 20 European PV Solar Energy Conf. — Barcelona. — 2005. — p.801-805.
Adeeb N., Kretsu I., Sherban D., Sushkevich V., Simashkevich A., Spray deposited ITO-CdTe solar cells //Sol. Energy Mater. — vol. 15. — N1. — 1987. — p.9-19.
Do Quoc Hung, Bobeico E., Gorceac L., Sherban D., Simashkevich A., Solar Cells Based on SIS Structures //Proc. Of the Third Int. Workshop on Material Sciences. — Hanoi. — 1999. — part 1. — p.56-59.
Gagara L., Gorcheac L. Radu C. Sherban D. Simashkevich A., Photovoltaic Converters of Solar Energy on the Base of SIS Structures //Proc. of the Int. Conf. ”Euro-Sun 96”. — Munchen. — 1996. — V.2. — p.665-669.
Simashkevich A., Sherban D., Bruk L., Bobeico E., Coval A., Fedorov V., Usatyi Iu., Spray Deposited ITO-nSi Solar Cells With Enlarged Area //Proc. of the 20 European PV Solar Energy Conf. — Barcelona. — 2005. — p.980-982.
Moss T.S., Barrel G.J., Ellis B., Semiconductor Opto-Electronics. — Butterworth & Co. (Publishers) Ltd. — 1973, 431p.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.