РОБОТА КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ В УМОВАХ АКУСТИЧНОГО НАВАНТАЖЕННЯ МЕГАГЕРЦОВОГО ДІАПАЗОНУ

O. Ya. Olikh, R. M. Burbelo, M. K. Hinders

Анотація


Проведене експериментальне дослідження динамічного впливу ультразвуку на струм короткого замикання, напругу холостого ходу, максимальну вихідну потужність та шунтуючий опір кремнієвого сонячного елементу. В роботі використовувався звук мегагерцового діапазону інтенсивністю до 3 Вт/см2. Виявлено, що акустостимульовані зміни досліджених параметрів нелінійно залежать від інтенсивності введеного ультразвуку і можуть досягати десятків відсотків. Проведено аналіз отриманих результатів у припущенні, що переважаючим механізмом перенесення носіїв через енергетичний бар’єр є тунельний.


Ключові слова


акусто-дефектна взаємодія; динамічні ультразвукові ефекти; кремній; сонячний елемент

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н., Заверюхин Б.Н., Володарский В.В., Муминов Р.А., Акустостимулированное расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности AlGaAs/GaAs-соднечных элементов // Письма в ЖТФ. — 2005. — Т.31, № 1. — С.54-65.

Подолян А.А., Хиврич В.И., Влияние ультразвука на отжиг радиационных дефектов в кремнии при комнатных температурах // Письма в ЖТФ. — 2005. — Т.31, № 10. — С.11-16.

Олих Я.М., Тимочко Н.Д., Долголенко А.П., Акустостимулированное преобразование радиационных дефектов в γ-облученных кристаллах кремния n-типа // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т.32, № 13. — С.67-73.

Romanjuk B., Kladko V., Melnik V., Popov V., Yukhymchuk V., Gudymenko A., Olikh Ya., Weidner G., Kruger D., Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported by in suti ultrasonic treatments // Mat. Sci. in Semicon. Proc. — 2005. — V.8, is. 5. — P.171-175.

Фаренбург А., Бьюб Р. Солнечные элементы. Теория и эксперимент. — М: Мир, 1987. — 280 с.

Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н., Туннельный избыточный ток в невы- рожденных барьерных p-n структурах АIIIВV на Si // ФТП. — 1997. — -Т.31, №2. — С.152-158.

Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М.,

Дислокационное происхождение и модель избыточного тока в p-n структурах на основе GaP // ФТП. — 2000. — Т.34, №11. — С.1357-1362.

Korotchenkov O. A., Grimmliss H. G., Long-wavelenght acoustic-mode enhanced electron emission from Se and Te donors in silicon // Phys.Rev.B. — 1995. — Vol. 52, N20 — P. 14598-14606.

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников Г.Г., Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990. — 688 c.

Олих О.Я., Островский И.В., Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах р- кремния под действием ультразвука // ФТП. — 2002. — Т.44, №7. — С.1198-1202.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.114011

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)