ФОРМУВАННЯ ТА ОБРОБКА ІНДІЄВИХ СТОВПІВ ДЛЯ ЗБІРКИ МАТРИЧНИХ ФОТОПРИЙОМНИХ ПРИСТРОЇВ МЕТОДОМ ПЕРЕВЕРНЕНОГО КРИСТАЛА

Автор(и)

  • A. G. Paulish Інститут фізики напівпровідників імені А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • A. M. Biktashov Інститут фізики напівпровідників імені А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • N. B. Kuzmin Інститут фізики напівпровідників імені А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • I. G. Kosulina Інститут фізики напівпровідників імені А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • A. R. Novoselov Інститут фізики напівпровідників імені А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.3.114027

Ключові слова:

індієвий стовп, адгезія, метод переверненого кристала, матричний фотоприйомний пристрій, ІЧ — детектори

Анотація

У роботі досліджені властивості індієвих стовпів, що використовуються для збірки гібридних матричних фотоприйомних пристроїв ІЧ-діапазону на основі ІnAs, CdHgTe і кремнієвого комутатора. Показано, що індієві стовпи, виготовлені вакуумним напиленням і наступною фотолітографією, містять більш твердий поверхневий шар, ніж об'ємний індій. Даний шар має низькі адгезійні властивості і перешкоджає холодному зварюванню індієвих стовпів при збірці матричних фотоприйомних пристроїв. Розроблені в даній роботі мето-ди прецизійного видалення поверхневого шару дозволили більш ніж на порядок збільшити силу адгезії стовпів і, тим самим, збільшити надійність фотоприйомного пристрою.

Посилання

Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Вайнер Б.Г., Гузев А.А., Сторганов А.С., Субботин М.М., Захаров И.М., Ефимов В.М., Постников К.О., Ли И.И., Валишева Н.А., Панова З.В. Медицинский тепловизор на основе матричного ФПУ 128x128,

работающий в диапазоне спектра 2,8--3.05 мкм.//Автометрия. — 1998. — №4. — С. 5-16.

Васильев В.В., Есаев Д.Г., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Ов-

сюк В.Н., Талипов Н.Х., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Матричное фотоприемное устройство

x128 на основе слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs.//Автометрия. — 1998. — №4. — С. 27-34.

Chu K.M., Lee J.S., Cho H.S., Rho B.S., Park H.H. and Jeon D.Y. Characteristics of indium bump for flip-chip bonding used in polymeric-waveguide-integrated optical interconnection systems.//Jap. J. Appl. Phys. — 2004. — V.43, №8B- P. 5922-5927.

Clayton J.E. Very high pin count flip chip assembly using conductive polymer adhesives.//Fine-Pitch Interconnection Technologies II Session of IMAPS 2003.//36th International Symposium on Microelectronics, Boston, MA. November 16-20, 2003.

Wolf J. PbSn60 solder bumping by electroplating.// Pixel 2000 International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and X-Rays. Genova — Porto Antico — Sala Libeccio, June 5-8, -2000.

Клименко А.Г., Войнов В.Г., Новоселов А.Р., Недосекина Т.Н., Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Овсюк В.Н. Особо пластичные индиевые микростолбы для матричных ФПУ на CdHgTe. //Автометрия. — 1998. — №4. — С. 105-112.

Biktashov A.M., Kuzmin N.B., Paulish A.G. Indium bumps investigation for the flip-chip assembly. //7th

International Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials. — Erlagol, Altai. — 2006. P. 35-37.

Airoldi A., Alimonti G., Amati M., Andreazza A., Bulgheroni A., Caccia M., Giugni D., Kucewicz W., Lari T., Meroni C , Ragusa F., Troncon C , Vegni G . A chip removal facility for indium bump bonded pixel detectors.//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. — 2005. — V.540. — P. 259–265.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-10-02

Номер

Том 4 № 3 (2007)

Розділ

Технологія виробництва сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.