ОСОБЛИВОСТІ ОПТИМІЗАЦІЇ МАТЕРІАЛІВ НА ОСНОВІ CdSb
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114252Ключові слова:
математичні моделі, хімічний зв’язок, евтектика, перитектика, нонваріантні реакції, силові постійні, характеристичні частотиАнотація
Запропоновані математичні моделі хімічного зв’язку, його силових та енергетичних характеристик, що дозволяє оптимізувати технологічні режими матеріалів на основі CdSb.Посилання
Лазарев В. Б., Шевченко В. Я., Гринберг Я. Х., Соболев В. В. Полупроводниковые соединения группы AIIBV. — М.: Наука, 1978. — 256с.
Ashcheulov A. A., Manik O. N., Marenkin S. F. Cadmium antimonide: Chemical Bonding and technology // Inorganic materials. — 2003. — V.39, №2. — Р.S59-67.
Ащеулов А. А., Воронка Н. К., Маренкин С. Ф., Раренко И. М. Получение и использование оптимизированных материалов из антимонида кадмия // Неорганические материалы. — 1996. — Т.32, №9. — С.1049-1060.
Снарский А. А., Пальти А. М., Ащеулов А. А. Анизотропные термоэлементы. Обзор // ФТП. — 1997. — T.31, №11. — С.832-841.
Ащеулов А. А. Координатно - чувствительные устройства на основе анизотропных оптикотермоэлементов // Оптический журнал. — 2008. — Т.75, №5. — С.24-34.
Ащеулов А. А., Грицюк Б. Н., Стребежев В. Н. Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов СdSb, ZnSb для оптофотоэлетронных устройств // ТКЭА. — 2009. — №1. — C.34-39.
Ащеулов А. А., Гуцул И. В. Особенности анизотропных оптикотермоэлементов // ФТП. — 2006. — T.40, №8. — С.995-1003.
Ван Флек Л. Теоретическое и прикладное материаловедение. — М.: Атомиздат, 1975. — 472с.
Смирнов А. А. Молекулярно-кинетическая теория металлов. — М.: Наука, 1996. — 488с.
Уббелоде А. Р. Рассплавленое состояние вещества. — М.: Металлургия, 1982. — 375с.
Диаграммы состояния двойных металлических систем Т.1 / Под редакцией акад.РАН Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 1996. — С.370-371.
Almin K. E. The crystal structure of CdSb and ZnSb // Acta Chem. Scand. — 1948. — №2. — P.400-407.
Mooser E., Pearson W. B. The chemical bond in semiconductors // J. Electronics. — 1956. — V.1, №6. — P.629-645.
Justi E., Lautz G. Ьber die Stцrstellen und Eigenhalbleitung intermetallischer Verbindungen // Z. Naturforschg. — 1952. — №7a. — P.602-613.
Toman K. Anisotropy of chemical bond in CdSb Compound // Crechosl. J. Phys. — 1963. — V.13, №6. — P.431.
Угай Я. А., Домашевская Э. П. Эмиссионные L 2,15 спектры кадмия и сурьмы в некоторых полупроводниковых соединениях // Изв. АН СССР. сер.физ. — 1964. — Т.28, №5. — С.853.
Velicky B., Frey V. The chemical bond in CdSb // Czechosl. J. Phys. — 1963. — V.13, №8. — P.594-598.
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах / Под ред. К. Хогарта. — М.: Мир, 1968. — С.214.
Маник О. Н. Особенности зонного спектра и химической связи в кристаллах антимонида кадмия / Автореф. дис. канд. физ. — мат. наук. — Черновцы. — 1987.
Маник О. М. Багатофакторний підхід в теоретичному матеріалознавстві. — Чернівці: Прут, 1999. — 432с.
Минкин В. И., Симкин Б. Я., Миняев Р. М. Теория строения молекул. — М.: Высшая школа, 1979. — 407с.
Єрьоменко О. І., Маник О. М., Раранський М. Д. Дослідження особливостей хімічного зв’язку в кристалах твердих розчинів системи CdSb-ZnSb // НВ ЧНУ. Фізика. Електроніка. — 2005. — №268. — С.109-112.
Балазюк В. Н., Еременко О. И., Маник О. Н., Раранский Н. Д. Комплексные исследования влияния температуры и состава на упругие свойства монокристаллов твердых растворов CdSb-ZnSb // Термоэлектричество. — 2008. — №3. — С.50-57.
Маник О. Н., Раренко И. М. Исследование зонной структуры CdSb // ФТП. — 1986. — Т.20, №9. — C.1706-1709.
Лейбфрид Г. Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов. — М. — Л.: Госиздат, 1963. — 312с.
Балазюк В. Н., Пересада Г. И., Раренко И. М. О зависимости констант упругости CdSb от гидравлического давления // ФТТ. — 1978. — Т.20б, №7. — С.2224-2225.
Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. — М.: Наука, 1965. — 204с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
