ДІЯ РАДІАЦІЇ НА ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ОПТИЧНИХ МОДУЛЯТОРІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114258Ключові слова:
p-n- перехід, інжекція, оптичний модулятор, ефективність модуляції, час життя носіїв заряду, -квантиАнотація
В роботі розглядаються можливості створення напівпровідникових оптичних модуляторів на основі германію для ІЧ області спектру. Досліджується залежність ефективності модуляції від концентрації інжектованих в n-базу носіїв заряду. Виявлено вплив - опромінення на характеристики модуляторів.Посилання
Мустель Е. Р. Методы модуляции и сканирования света /Мустель Е. Р., Парыгин В. Н. — М. Наука, 1970. — 296с.
Свечников Г. С. Интегральная оптика /Свечников Г. С. — К. Наукова думка, 1988. — 168с.
Викулин И. М. Полупроводниковые модуляторы ИК излучения/ Викулин И. М., Ирха В.И., Панфилов И. П. — Одесса,1995. — 50с.
А.с. СССР 1730931 МКИ3 G 02 F1/015; 1/03. Оптический модулятор /В. И. Ирха, И. М. Викулин, Ю. Н. Максименко, Б. И. Буряк (СССР), заявл. 14.06.89; опубл.3.01.92.
А.с. СССР 1745062 МКИ 3 G02 F1/015. Полупроводниковые оптический модулятор /В. И. Ирха, Ш. Д. Курмашев, И. М. Викулин (СССР), заявл. 11.08.89; опубл.1.03.92.
Викулин И. М. Полупроводниковые оптоэлектронные модуляторы /Викулин И. М., Ирха В.И., Панфилов М. И. — Киев: Информатика и связь. — 1995. — С.48-51.
Пат. 26020 Україна МПК G02 F1/00/ Оптичний модулятор. — Вікулін І. М.,Ірха В.І, Панф ілов М. І.; -№0200705531; заявл.21.05.07; опубл.27.08.07.Бюл.№13.
Емцев В. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках /Емцев В. В., Машовец Т.В. — М.Радио и связь, 1981. — 248с.
Кулаков В. М. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники /Кулаков В.М, Ладыгин Е. А., Шаховцов В. И. — М.Сов. радио, 1980. — 224с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
