КВАНТОВА ЕФЕКТИВНІСТЬ ФОТОДЕТЕКТОРІВ ПРИ ПОРОГОВИХ ОСВІТЛЕНОСТЯХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.1.114314Ключові слова:
ультрафіолетове випромінювання, поверхнево-бар’єрна структура, тонкоплівковий гетероперехід, ультрафіолетовий приймачАнотація
Розраховано розподіл потенціалу вздовж прозорої складової гетеропереходу при пороговій освітленості. Визначена ефективна довжина збирання в поверхнево-бар’єрній структурі при низьких рівнях опромінення. Отримані теоретичні вирази для залежностей струму фотодетектора від відстані між струмозбірними електродами, від товщини верхнього сильно легованого шару та від коефіцієнту поглинання світла. Проведено порівняння теорії і експерименту, з якого визначені ключові параметри фотодетектора.
Посилання
Павелец С.Ю., Бобренко Ю.Н., Комащенко А.В., Шенгелия Т.Е. Новая структура поверхностно-барьерного сенсора на основе CdS // ФТП.- 2001.-Т.35, В.5.-С.626-628.
V.Karyatkov, A.Chandola, D.Borisov. Solar-blind ultraviolet photodetectors based on superlatties of AlN/AlGa(In)N // Applied Physics Letters.-2002.- v.82, N 9.- p.1323-1325.
A.V. Sachenko, A.P. Gorban. On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 2, 42 (1999) p.42-44.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
