DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.1.114325

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ХАРАКТЕРИСТИК І ПАРАМЕТРІВ ТИПОВИХ ФОТОМАТЕРІАЛІВ І ТВЕРДОТІЛЬНОГО ЕЛЕМЕНТУ ПАМ’ЯТІ

V. A. Borshchak, A. P. Balaban

Анотація


Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елементів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів.

Ключові слова


гетероперехід; сенситометрія; елемент пам’яті; сенсор зображення; фотоматеріали

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


V.A.Smyntyna, V.A.Borschak, M.I.Kutalova, N.P.Zatovskaya, A.P.Balaban Mechanism to restrict signal in solid-state image sensors based on non-ideal heterostructure.// T2B-P1 Proc. of EUROSENSORS XX Conf.- Geteborg.- 17-20 sept.- 2006.

Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса, пер. с англ.// Л., 1973.

М.И. Закс. Фотоматериалы и их обработка// М.: Легпромбытиздат.– 1993.– 142 с.

А.Л. Картужанский, Л.В. Красный. Химия и физика фотографических процессов// Ленинград: Химия.– 1983. — 171 с.

Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: свойства материалов. //Киев: Наукова думка. — 1975.– 704 c.

D.L.Vassilevski. Physical principles of graphic data registration by non-ideal heterojunction.// Sensors and Actuators A 55.– 1996.– P.167-172.




Copyright (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)