DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.1.114329

ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СКЛОВИДНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ

O. I. Vlasenko, A. O. Gubanova, Ts. A. Kryskov, I. V. Lysy, V. P. Papusha, V. M. Sopinskyy, A. V. Stronsky

Анотація


Наведені результати дослідження оптичних властивостей (ширина забороненої зони, показник заломлення та спектри пропускання у видимій та інфрачервоній ділянках) халькогенідних скловидних напівпровідників As2 S3, синтезованих різними методами.

Ключові слова


халькогеніди Asx S100-x, технологія синтезу, оптичні параметри, спектри пропускання

Повний текст:

PDF

Посилання


Костышин М.Т., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоёв, нанесеннях на металлические положки //ФТТ. – 1966. –Т.8. №2. — С.571-572.

Семак Д.Г., Микла В.И. Физические основы оптической записи на слоях ХСП //Квантовая электроника. –Киев: Наукова думка. –1986. – Т.30. –С.58-68.

Hisakuni H., Tanaka K. Optical Microfabrication of Chalcogenide glasses //Science. –1995. –V.270. – P.974-975.

Катцир А. Волоконные световоды в медицине // В мире науки. –1989. –№7. –С.62-68.

Стронский А.В. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. –2004. –Т.30. –С.73-96.

Intel держит в руках первый прототип PRAM //http://www.3dnews.ru.

Геращенко О.А., Гордов А.Н., Лах В.И. Температурные измерения /Справочник. –К.: Наукова думка. –1984. –496 с.

Lysy I.V., Vlasenko O.I., Sopinskyy M.V., Gubanova A.O., Kryskov Ts.,A. Ellipsometric measurements of the refractive index of chalcogenide and chalcogenide-based bulk glassy samples. //3-rd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics. 3-6 October, 2006. Chisinau, Moldova (abstract), – p. 100.




Copyright (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)