ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СКЛОВИДНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.1.114329Ключові слова:
халькогеніди Asx S100-x, технологія синтезу, оптичні параметри, спектри пропусканняАнотація
Наведені результати дослідження оптичних властивостей (ширина забороненої зони, показник заломлення та спектри пропускання у видимій та інфрачервоній ділянках) халькогенідних скловидних напівпровідників As2 S3, синтезованих різними методами.Посилання
Костышин М.Т., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоёв, нанесеннях на металлические положки //ФТТ. – 1966. –Т.8. №2. — С.571-572.
Семак Д.Г., Микла В.И. Физические основы оптической записи на слоях ХСП //Квантовая электроника. –Киев: Наукова думка. –1986. – Т.30. –С.58-68.
Hisakuni H., Tanaka K. Optical Microfabrication of Chalcogenide glasses //Science. –1995. –V.270. – P.974-975.
Катцир А. Волоконные световоды в медицине // В мире науки. –1989. –№7. –С.62-68.
Стронский А.В. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. –2004. –Т.30. –С.73-96.
Intel держит в руках первый прототип PRAM //http://www.3dnews.ru.
Геращенко О.А., Гордов А.Н., Лах В.И. Температурные измерения /Справочник. –К.: Наукова думка. –1984. –496 с.
Lysy I.V., Vlasenko O.I., Sopinskyy M.V., Gubanova A.O., Kryskov Ts.,A. Ellipsometric measurements of the refractive index of chalcogenide and chalcogenide-based bulk glassy samples. //3-rd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics. 3-6 October, 2006. Chisinau, Moldova (abstract), – p. 100.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
