ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНОЇ СТРУКТУРИ З ПОРУВАТИМ КРЕМНІЄМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.1.114331Ключові слова:
поруватий кремній, інжекція, електролюмінесценція, вольт-амперна характеристикаАнотація
Досліджувались вольт-амперні та люмінесцентні характеристики світловипромінювальних структур Al/n+–Si/ПК/моно-Si з тонкими та товстими шарами поруватого кремнію, одержаного за методикою електрохімічного травлення. Виявлено, що в таких структурах мають місце більш приємні умови для перенесення носіїв заряду в порівнянні з структурами Al/ПК/моно-Si.Посилання
Canham L.T. Silicon guantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. — 1990. — Vol.57. — №10. P.1046-1048.
Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol.82. — №3. — Р.909-965. 3. Bondarenko V.P., Yakovtseva V.A. Optoelectronic applications of porous silicon // In: Properties of porous silicon (ed by Canham L.). INSPEC, — London. — 1997. — P.356-363.
Лазарук С.К., Лешок А.А., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния // ФТП. — 2005. — Т.39. — №1. — С.149-152.
Makara V.A., Melnichenko M.M., Svezhentsova K.V., Khomenkova L.Y., Shmyryeva O.M. Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface // Semiconductor Physics, Quantum Electronics &Optoelectronics. — 2003. — V.6. — №4. — Р.492-495.
Бондарев В.Н., Пихица П.В., Зеленин С.В. Флуктуационная теория фотолюминесценции пористого кремния // ФТТ. — 2004. — Т.46. — №3. — С.520-525.
Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки // ФТП. — 2006. — Т.40. — №2. — С.240-245.
Zhang F.L., Hao H., Hou X.Y., Shi G., Huang D.M., Wang Xun Improvement of electroluminescence properties of light-emitting porous silicon // Semiconductor Science and Technology. — 1993. — V.8. — №11. — Р.2015-2017.
Dumas P., Gu M., Syrykh C., Gimzewsky J.K., Makarenko I., Halimaoui A., Salvan F. Direct observation of individual nanometer-sized light-emittingstructures on porous silicon surfaces // Europhysic Letters. — 1993. — V.23. — №3. — Р.197-202.
Meyer C., Lorenz H., Karrai K. Electroluminescence from a current-emitting nanostructured silicon device // Superlattices and Microstructures. — 2003. — V.33. — P.339-346.
Lalic N., Linnros J. Porous silicon diodes operated near the electroluminescence threshold // Thin Solid Films. — V.297. — №1-2. — Р.277-280.
Хрипко С.Л. Властивості шарів поруватого кремнію та епітаксіальних шарів на його поверхні // Вісник Сумського державного університету. Серія: Фізика, математика, механіка. — 2007. — №1. — С.157-162.
Хрипко С.Л. Комбінаційне розсіювання світла в поруватому кремнії на пластинах р-типу //
Ученые записки Национального Таврического университета им. В.И. Вернадського. Серия “Фізика”. Том 20(59). — 2007. — №1. — С.147- 155.
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С. В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП. — 1999. — Т.33. — №3. — С.327- 331.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
