DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114440

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ TlInS2 В ОКОЛІ ФАЗОВИХ ПЕРЕХОДІВ

O. O. Gomonnai, P. P. Guranich, R. R. Rosul, A. G. Slivka, I. Yu. Roman, M. Yu. Rigan

Анотація


Досліджено оптичні властивості шаруватих сегнетоелектриків TlInS2 з неспівм ірною фазою. Встановлено, що у інтервалі температур 190—220 К спостерігається зміна коноскопічних картин кристалу, відбувається поворот площини, зміна відстані між оптичними осями кристалу. Досліджено температурну зміну двопроменезаломлення та аномально ї частини, та встановлено, що при температурах Тс= 197 К та Ті= 216 К спостерігаються аномалії, що відповідають структурним фазовим переходам.


Ключові слова


шаруватий кристал; фазовий перехід; двопроменезаломлення

Повний текст:

PDF

Посилання


Panich A. M. Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. — 2008. — V. 20, 29. — P. 293202— 1—293202—42.

Gomonnai O. O., Guranich P. P., Rigan M. Y., Roman I. Y., Slivka A. G. Åffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2 // High Pressure Research. — 2008. — V. 28, ¹ 4. — P. 615—619.

Mamedov, N; Shim, Y; Yamamoto, N; Park, YK; Polarized transmission intensity studies of off-zonecenter incommensurate semiconductors-ferroelectrics TlMeX2, Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers.— 2002.— V. 41,¹ 11B.— p. 7254—7259.

Shim, YG; Uneme, N; Abdullayeva, S; Mamedov, N; Yamamoto, N. Light figure studies of optical anisotropy induced by nanoscale spatial modulation in TlInS2.// Journal of Physics and Chemistry of Solids.— 2005.— V. 66, 11.— p 2116—2118.

Гомоннай А. А., Гуранич П. П., Сливка А. Г., Риган М. Ю., Роман И. Ю. Барическое поведение пироэлектрического коэффициента слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — C. 151—156.




Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)