СПІН-ЗАЛЕЖНИЙ СТРУМ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ КНС
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114467Ключові слова:
кремній на сапфірі, парамагнітні центри, спін-залежний струм, бар’єр ШоткіАнотація
Досліджувались структури у вигляді смужки кремнію на сапфірі, в якій формувався бар’єр Шоткі. В них виявлено наявність спін-залежного струму при кімнатних температурах. Експериментально досліджувались вольтамперні, частотні та польові залежності загального та спін-залежного струму, а також вплив освітлення на них. Запропоновані механізми протікання струму в таких структурах, експериментальні результати добре узгоджуються з проведеними оцінками. Виявлено, що в структурі існують два конкуруючі спінзалежні канали протікання струму, які за певних умов можуть компенсувати один одного.
Посилання
Chen J., Ko R. J., Brzezinski D., Forbes L., Debloca C., Bulk traps in silicon-on-saphire by coductance DLTS // IEEE Trans.Electron.Dev. — 1981. — ED- 28, 3. — P. 299—304.
Кведер В. В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И., Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ. — 1982. — 83, № 2. — С. 699—714.
Борисов Ф. И., Воробьев Ю. В., Стриха В. И., Третяк О. В., Шматов А. А., Исследование спинзависимой рекомбинации в пленках КНС // ФТП. — 1985. — Т.8, № 5. — С. 859—873.
Родерик Э. Х. Контакты металл-полупроводник. — М.: Радио и связь, 1982. — 208 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2- книгах, Кн. 1. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
Lepine D., Spin-Dependent Recombination on Silicon Surface // Phys. Rev. B — 1972. — 2 (vol. 6). — P. 436—441.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.