СПІН-ЗАЛЕЖНИЙ СТРУМ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ КНС

K. V. Krivokhizha, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro

Анотація


Досліджувались структури у вигляді смужки кремнію на сапфірі, в якій формувався бар’єр Шоткі. В них виявлено наявність спін-залежного струму при кімнатних температурах. Експериментально досліджувались вольтамперні, частотні та польові залежності загального та спін-залежного струму, а також вплив освітлення на них. Запропоновані механізми протікання струму в таких структурах, експериментальні результати добре узгоджуються з проведеними оцінками. Виявлено, що в структурі існують два конкуруючі спінзалежні канали протікання струму, які за певних умов можуть компенсувати один одного.


Ключові слова


кремній на сапфірі; парамагнітні центри; спін-залежний струм; бар’єр Шоткі

Повний текст:

PDF

Посилання


Chen J., Ko R. J., Brzezinski D., Forbes L., Debloca C., Bulk traps in silicon-on-saphire by coductance DLTS // IEEE Trans.Electron.Dev. — 1981. — ED- 28, 3. — P. 299—304.

Кведер В. В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И., Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ. — 1982. — 83, № 2. — С. 699—714.

Борисов Ф. И., Воробьев Ю. В., Стриха В. И., Третяк О. В., Шматов А. А., Исследование спинзависимой рекомбинации в пленках КНС // ФТП. — 1985. — Т.8, № 5. — С. 859—873.

Родерик Э. Х. Контакты металл-полупроводник. — М.: Радио и связь, 1982. — 208 с.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2- книгах, Кн. 1. — М.: Мир, 1984. — 456 с.

Lepine D., Spin-Dependent Recombination on Silicon Surface // Phys. Rev. B — 1972. — 2 (vol. 6). — P. 436—441.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114467

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)