ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА НИТКОПОДІБНІ

A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, A. P. Kutrakov, N. S. Liakh-Kaguj

Анотація


Проведено комплексне дослідження по впливу опромінення електронами з енергією Е=10 МеВ та різним флюенсом (Ф=1Ч1016 — 1Ч1018 ел/см2) на основні властивості легованих бором ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, твердого розчину Si1-xGex (х=0,03) р-типу та шарів полікремнію на ізоляторі, рекресталізованих лазером, з різною концентрацією носіїв у широкому інтервалі температур 4,2 — 300 К. Показано, що опромінення виклика є зменшення провідності НК Si, Si1-xGex та шарів полікремнію, особливо за кріогенних температур. Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір та магнітоопір досліджених кристалів та шарів полікремнію. Вивчено також вплив одновісної деформації на провідність опромінених НК Si, вироджених та з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД), для яких розраховано коефіцієнт тензочутливості в інтервалі температур 4,2—300 К. Проведені дослідження дозволяють прогнозувати радіаційну стійкість сенсорів на основі досліджених НК Si, Si1-xGex та сильно легованих шарів полікремнію до дії опромінення електронами з Е≤10 МеВ і флюенсом Ф≤1Ч1017ел/см2.


Ключові слова


ниткоподібні кристали; кремній; тверді розчини кремній-германій; шари полікремнію на ізоляторі; електронне опромінення; магнітоопір; коефіцієнт тензочутливості

Повний текст:

PDF

Посилання


Дружинин А. А., Марьямова И. И., Лавитская Е. Н., Кутраков А. П., Панков Ю. М. Полупроводниковые сенсоры механических величин на основе микрокристаллов кремния для экстремальных условий // Микросистемная техника. — 2001. — № 9. С. 3—8.

Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E., Gortinska I., Yatzuk Y. Low temperature semiconductor mechanical sensors // Sensors and Actuators. — 2000. — Vol. A 85. — P. 153 -157.

Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Когут І. Т., Ховерко Ю. М. Сенсори фізичних величин на основі структур “кремній на ізоляторі” з рекристалізованим шаром полікремнію // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — 2008. — № 4. С. 17—26.

Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Кутраков О. П., Павловський І. В. Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів кремнію в області переходу метал-діелектрик // Фізика і хімія твердого тла. — 2003. — Т4, № 4. С. 720— 728.

Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. — Київ: Наукова думка, 1974. — 199 с.

Emtsev V. V., Ehrhart P., Poloskin D. S., Emtsev K. V. Comparitive studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures // J Mater Sci: Mater Electron. — 2007. — Vol. 18, N7. — P. 711—714.

Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Oszwaldovski M., Berus T., Kunert H. W. Studies of piezoresistance and piezomagnetoresistance in Si whiskers at cryogenic temperatures // Crystal Research and Technology. — 2002 — Vol. 37, N 2—3. — P. 243—257.

Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Кутраков О. П., Павловський І. В. Фізичні основи створення сенсорів механічних величин для низьких температур на основі мікрокристалів кремнію // Сенсорна електроніка та мікросистемні технолог ії. — 2006. — № 3. С. 5—13.

Шкловский В. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. — М.: Наука, 1979. — 416 с.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114496

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)