ПЕРСПЕКТИВИ СТВОРЕННЯ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИХ ФОТОРЕЗИСТОРІВ НА ОСНОВІ ПЛІВОК ZNO
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114518Ключові слова:
плівка ZnO, легування, фоточутливість, швидкодія, фоторезисторАнотація
Нелеговані та леговані азотом плівки n-ZnO осаджено на Si та SiNx/Si підкладки методом магнетронного розпилення. Для нанесення омічних In та Al контактів до ZnО застосовані методи термічного вакуумного осадження та стандартної LIFT-OFF літографії. Досліджено вплив кристалічної досконалості нелегованих плівок ZnО та величини міжконтактно ї відстані на фоточутливість та швидкодію фоторезисторів на їх основі. Для фоторезистор ів на основі нелегованих плівок досягнута кратність 24 при швидкодії порядку десяти хвилин. Фоторезистори, створені на основі легованих азотом плівок ZnO, продемонстрували фоточутливість з кратністю 250 при λ = 90 нм та швидкодію зі сталою часу 10 мкс.
Посилання
А. І. Євтушенко, Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, В. А. Карпина, В. Д. Храновський // ZnOдетектори ультрафіолетового випромінювання. Огляд // ФХТТ. — 2008. — Т.9, № 6. — С. 869.
R. H. Bube Photoconductivity of Solids. — NY.:1960. — P. 112.
D. H. Zang, D. E. Brodie Crystallite orientation and related photoresponse of hexagonal ZnO films deposited by r.f. sputtering //J. Thin Solid Films. — 1994. — 251. — Р. 151.
А. І. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, Л.А. Косяченко, В.М. Ткач, І.І. Штеплюк, Т.Ш. Османов Ультрафіолетові фотодіоди: вплив рівня легування азотом на фоточутливість плівок ZnO //СЕМТ. — 2010. — 1(7), 2. — С.36.
A. Ievtushenko, V. Karpyna, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Baturin, A. Karpenko, M. Lunika, A. Dan’ko Multilayered ZnO Films of Improved Quality Deposited by Magnetron Sputtering // Acta Physica Polonica A. — 2008. -114, 5. — Р. 1131.
A. I. Ievtushenko, V. A. Karpyna, V. I. Lazorenko, G. V. Lashkarev, V.D. Khranovskyy, V.A. Baturin, O. Y. Karpenko, M. M. Lunika, K. A. Avramenko, V.V. Strelchuk, O. M. Kutsay High quality ZnO films deposited by radio-frequency magnetron sputtering using layer by layer growth method // Thin Solid Films, — 2010. — 518, 16. — P. 4529.
Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, А. І. Євтушенко, В. Д. Храновський, І. В. Блонський, І.М. Дмитрук, Т. Ш. Османов Вплив технології осадження та структури плівок ZnO на їх фотота катодолюмінесценцію //УФЖ. — 2008. — 53, 9. — C. 868.
А.І. Євтушенко, В. Д. Храновський, Г. В. Лашкарьов, О. І. Биков, В.Й. Лазоренко, В.А. Карпина, Л. О. Клочков, В.А. Батурин, О.Ю. Карпенко, М.М. Луніка Структура та морфологія плівок ZnO, осаджених на підкладинки Si3N4/Si методом ВЧ магнетронного розпилення // Металофізика та новітні технології. Спецвипуск. — 2008. — Т.30. — С. 631.
Q. A. Xu, J. W. Zhang, K. R. Ju, X. D. Yang, X. Hou ZnО thin film photoconductive ultraviolet detector with fast photoresponse// J. Cryst. Growth. — 2006. — 289. — P.44.
M. Razeghi, A. Rogalski Semiconductor ultraviolet detectors// J. Appl. Phys. — 1996. -79. — P.7433.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
