DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114551

ПІДВИЩЕННЯ РУХЛИВОСТІ НОСІЇВ СТРУМУ В ОДНОВІСНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ n −Si ТА n −Si З ІЗОВАЛЕНТНОЮ ДОМІШКОЮ ГЕРМАНІЮ

A. V. Fedosov, S. V. Luniov, S. A. Fedosov, S. Y. Misyuk, A. M. Korovytskyy

Анотація


Досліджено вплив сильної одновісної пружної деформації на електрофізичні властивості n −Si та n −Si з ізовалентною домішкою германію. Для пружно деформованих кристалів n −Si та n −Si з ізовалентною домішкою германію вздовж кристалографічного напрямку [100] характерною особливістю температурних залежностей lgρ = f (lgT) ) є перех ід від нахилу 1,68 до 1,83, що пояснюється активним вкладом g - переходів в міждолинне розсіяння при T >330 K . При цьому знімаються f − переходи з міждолинного розсіювання і рухливість електронів зростає, що може бути використаним для підвищення рухливості носіїв струму в каналах n-МОН транзисторів.


Ключові слова


деформація; рухливість; міждолинне розсіяння; транзистор

Повний текст:

PDF

Посилання


Thompson S. et al., IEDM Tech. Dig., 2002. — P. 61—64.

Ghani T. et al., IEDM Tech. Dig., 2003. — P. 978—980.

Єрмаков В. М., Федосов А. В.,. Коломоєць В. В,. Горін А. Е. Використання тензорезистивного ефекту в n −Si та p −Si для підвищення рухливості носіїв струму в каналах n-МОН та p-МОН транзисторів // Наук. вісн. КУЕІТУ. — 2008. — № 2. — С. 48—51.

Баранский П. И., Даховский И. В, Коломоец В. В., Федосов А. В. Междолинное рассеяние в n −Si в температурном интервале 78—300 К // Физика и техника полупроводников. — 1976. — Т. 10, № 8. — С. 1480—1482.

Long D. Scattering of conduction electrons by lattice vibrations in silicon // Phys. Rev. — 1960. — v. 120, № 6. — p.2024—2032.

Цыпленков В. В., Демидов Е. В.,. Ковлевский К. А, Шастин В. Н. Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, № 9. — С. 1032—1037.

Цыпленков В. В.,. Ковлевский К. А, Шастин В. Н. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами // Физика и техника полупроводников. — 2009. — Т. 43, № 11. — С. 1450—1455.

Баранский П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломоец В. В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках — К.: Наукова думка, 1977. — 269 c.

Федосов А. В., Захарчук Д. А., Луньов С. В.. Дослідження анізотропії розсіяння носіїв струму в кристалах n −Si // Тези XXIV науково — технічно ї конференції професорсько — викладацького складу “Актуальні проблеми та перспективи науки і виробництва”. — Луцьк: Луцький національний технічний університет. — 2009 р. — С. 205 — 207.

Семенюк А. К. Радіаційні ефекти в багатодолинних напівпровідниках — Луцьк : Надстир’я, 2001. — 323 c.




Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)