ВПЛИВ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ НА ВЛАСТИВОСТІ ЕПІТАКСІАЛЬНИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ ТА ПАРАМЕТРИ ФОТОРЕЗИСТОРІВ НА ЇХ ОСНОВІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.3.114647Ключові слова:
радіація, електрон, епітаксійний шар, фотовідгук, радіаційна стійкістьАнотація
Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкості їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливості носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів.
Посилання
Радиационная стойкость в оптоэлектронике / Ф.А. Заитов, Н.Н. Литвинова, В.Г. Савицкий, В.Г. Середин / Под ред. В.Г. Середина. — М.: Воениздат, 1987. — 166 с.
Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.: Металлургия, 1984. — 256 с.
Кулаков В.М., Курицын Е.М., Мокрицкий В.А. Деградация эпитаксиальных слоев кремния при облучении электронами // Всесоюзная конференция “Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов”. Тезисы докладов, ч. 1. — Кишинев, 1982. — С. 85. Козлов И.Б., Логвиненко Т.А., Лугаков П.Ф., Ткачев В.Д. Изменение концентрации носителей тока в кремнии при облучении быстрыми электронами // Физ. и техн. полупр., 1974, т. 8, вып. 8. — С. 1431-1435.
Вавилов В.С., Кекелидзе К.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники / М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. — 192 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
