ДЕТЕКТОР УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ZnO, ЛЕГОВАНОГО АЗОТОМ

Автор(и)

  • A. I. Ievtushenko Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Україна
  • G. V. Lashkarev Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Україна
  • V. I. Lazorenko Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Україна
  • V. A. Karpyna Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Україна
  • V. D. Khranovskyy Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Україна https://orcid.org/0000-0003-4646-759X
  • L. A. Kosyachenko Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • V. M. Sklyarchuk Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • O. F. Sklyarchuk Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.3.114653

Ключові слова:

плівка ZnO, N, фотодіод, швидкодія, фоточутливість

Анотація

Досліджено леговані азотом плівки ZnO, осаджені методом магнетронного розпилення в азотній плазмі на Si (100) підкладинку p-типу провідності. Створені поверхнево-бар’єрні Ni-ZnO:N-Al діоди демонструють високу фоточутливість з максимумом ~ 0,1 А/Вт на довжині хвилі 365 нм при зміщенні – 1 В і швидкодію із сталою часу ~ 100 нс. Запропоновано методи покращення властивостей детекторів УФ випромінювання на основі досліджених ZnO:N плівок.

Посилання

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра // ФТП. — 2003. — № 9. — С. 1025-1055.

А. І. Євтушенко, В. Д. Храновський, В. Й. Лазоренко, Г. В. Лашкарьов, В. А. Карпина, Одержання тонких плівок ZnO для використання в якості чутливого матеріалу детекторів УФ випромінювання // Тези Київської конференції моло-

дих вчених “Новітні матеріали та технології”, Київ. — 2006. — С.140.

Y.Liu, C.R. Gorla, S.Liang, N.Emanetoglu, Y.Lu, H.Shen and M. Wraback. Ultraviolet detectors based on epitaxial ZnO films grown by MOCVD // J. Electronic Mater.– 2000.– Vol. 29, — №1. — P. 69-74.

Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ICDD, Newtown Square, PA, 2001, Card 36-1451.

K.W. Liu, J.G. Ma, J.Y. Zhang, Y.M. Lu, D.Y. Jiang, B.H. Li, D.X. Zhao, Z.Z. Zhang, B. Yao, D.Z. Shen Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film // J. Solid-State Electron. — 2007. — №51. — P. 757-761.

N. Fujimura, T. Nishihara, S. Goto, J. Xu, T. Ito Control of preferred orientation for ZnOx folms: control of self-texture // J. Cryst. Growth. — 1993. — №130. — P.269-274.

D.H.Zang, D.E.Brodie Crystallite orientation and related photoresponse of hexagonal ZnO films deposited by r.f. sputtering //J. Thin Solid Films. — 1994. — №251. — Р. 151-156.

Y.J. Zeng, Z.Z. Ye, Y.F. Lu, J.G. Lu, W.Z. Xu, L.P. Zhu, B.H. Zhao, Y. Che Investigation on ultraviolet photoconductivity in p-type ZnO thin films // J. Chemical Physics Letters. — 2007. — №441. P. 115–118.

##submission.downloads##

Опубліковано

2008-06-19

Номер

Том 5 № 3 (2008)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.