ЧУТЛИВІСТЬ КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ДО КУТА ПАДІННЯ СВІТЛА НА ЇХ ПРИЙМАЛЬНУ ПОВЕРХНЮ

Автор(и)

  • M. V. Kirichenko Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • V. R. Kopach Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • R. V. Zaitsev Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • S. A. Bondarenko Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.3.115909

Ключові слова:

фотоперетворювач, фотовольт, кут падіння світла, коефіцієнт відбиття, параметри

Анотація

Наведено результати досліджень залежностей вихідних параметрів багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) від кута падіння сонячного випромінювання на їх приймальну поверхню. Показано, що для збільшення ККД ФЕП необхідно забезпечити підвищені значення часу життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах та коефіцієнта оптичного відбиття від границь метал/Si всередині багатоперехідних ФЕП, у той час, як при використанні багатоперехідних ФЕП у системах оптичної локації визначення напряму розповсюдження випромінювання доцільним є примусове зниження цих величин.

Посилання

Blakers A.W., Smeltik J., Proceedings of the 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion; July 6–10, 1998, Vienna, Austria, p. 2193.

Verlinden P.J. High–efficiency concentrator silicon solar cells, p. 436–455. In: “Practical Handbook of

Photovoltaics: Fundamentals and Applications”, edited by T. Markvart and L. Castaner; Elsevier Science Ltd., Kidlington, Oxford, 2003.

Sater B.L., Sater N.D. High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities // Proceedings of the 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, May 20 — May 24, 2002. — New Orleans , USA, 2002. — P. 1019–1022.

Guk E.G., Shuman V.B., Shwartz M.Z. Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Conference, June 30 — July 4, 1997, Barcelona, Spain, p. 154.

Andreev V.M., Grilikhes V.A., Rumjantsev V.D. Photovoltaic conversion of solar concentrated irradiation. Nauka, Leningrad, 1989. — 310 p., (in Russian).

Landsberg G. S. Optics. Nauka, Moscow, 1976. — 928 p., (in Russian).

Keogh W., Cuevas A. Simple flashlamp I–V testing of solar cells // Proceedings of the 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, CA, September 30 — October 3. — 1997. — P. 199–202.

Kerschaver E., Einhaus R., Szlufcik J., Nijs J., Mertens R. Simple and fast extraction technique for the parameters in the double exponential model for I–V characteristic of solar cells // Proceedings of the

th European Photovoltaic Solar Energy Conference, June 30 — July 4, 1997. — Barcelona, Spain, 1997. — P. 2438–2441.

Kopach V.R., Kirichenko M.V., Shramko S.V. et al. New approach to the efficiency increase problem for multijunction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells // Functional Materials. — 2008. — Vol. 15. — No. 2. — P. 253-258.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-09-29

Номер

Том 6 № 3 (2009)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.