ВПЛИВ ПОПЕРЕДНЬОГО ОПРОМІНЕННЯ НА МАГНІТНУ СПРИЙНЯТЛИВІСТЬ Cz-Si, ТЕРМООБРОБЛЕНОГО ПРИ 700-1000 °С

V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, O. P. Litovchenko, I. S. Pankiv, M. M. Luchkevych

Анотація


Досліджено залежності парамагнітної складової магнітної сприйнятливості (МС) кремнію від дози попередньо опромінення швидкими нейтронами (fn), після послідуючої термообробки зразків при 700-1000о С. На основі результатів вимірювання магнітної сприйнятливості показано, що на величину парамагнітної складової, яка виникає після зазначених термообробок кремнію, суттєво впливає попереднє опромінення дозами до величини порядку 1018 fn/см2 . При подальшому збільшенні дози опромінення цей вплив значно послаблюється. Розглянуто імовірні механізми дефектоутворення, які пояснюють виявлені особливості.


Ключові слова


кремній; кисень; магнітна сприйнятливість; опромінення; термообробка

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


Варніна В. І., Гроза А. А., Литовченко П. Г., Старчик М. І., Шматко Г. Г., Марченко Л. С., Семенюк А. К., Литовченко О. П., Вплив радіаційних дефектів на преципітацію кисню в кремнії при термообробці // УФЖ. — 2001. — Т. 46, №2. — C. 205-210.

Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Старчик М. І., Павловський Ю. В., Гроза А. А., Шматко Г. Г.,

Цмоць В. М., Петренко В. В., Кореляція між процесами преципітації кисню і поведінкою магнітної сприйнятливості в опроміненому нейтронами кремнію // НУ “Києво-Могилянська академія”. Фіз. —мат. науки. — 2004. — Т. 23. — С. 63-66.

Гроза А. А., Хиврич В. И., Околокраевое поглощение в кремнии облучённом нейтронами и 1, 5 МэВ электронами // ФТП. — 1979. — Т. 13, №5, — C. 870-874.

Литовченко П. Г., Гроза А. А., Варенцов М. Д., Хиврич В. И., Томчук Л. В., Николаева Л. Г., Заславский Ю. И., Старчик М. И., Шматко Г. Г. Особенности действия быстрых и тепловых нейтронов, электронов на оптические, электрические и структурные свойства кремния // Вопр. ат. науки и техн. Сер.: Физ. радиац. поврежд. — 1986. — №3. — C. 75-77.

De Kock A. J. R., Wijgert W. M., The Influence of Thermal Point Defects on the Precipitation of Oxygen in Dislocation Free Silicon Crystals // Appl. Phys. Lett. — 1981. — V. 38, №11. — P. 888-900.

Graven R. A. Semiconductor Silicon, //ed. H. R. Huff, R. J. Kriepler, J. Tamishi., The Electrochemical Society Inc. — 1985. — №4. — P. 254-258.

Mikkelsen J. C. Oxygen, Carbon, Hydrogen, and Nitrogen in Crystalline silicon // J. of Metals. – 1985. — V. 37. — P. 51-54.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.3.115947

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)