ВПЛИВ МАГНІТНОГО ТА РЕНТГЕНІВСЬКОГО ПОЛІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СЕНСОРІВ ТЕМПЕРАТУРИ

Автор(и)

  • B. V. Pavlyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • A. S. Hrypa Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • R. M. Lys Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • D. P. Slobodzyan Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • R. I. Didyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • J. A. Shykoryak Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.4.116044

Ключові слова:

магнітне поле, рентгенівське опромінення, сенсор температури, ВАХ, ВФХ, бар’єрні структури, дефекти

Анотація

Методом ємнісної спектроскопії досліджено вплив магнітного та рентгенівського полів на формування радіаційних дефектів в кремнієвих сенсорах температури. Показано, що генеровані рентгенівським випромінюванням радіаційні дефекти є більш чутливі до дії слабких магнітних полів у порівнянні із структурними дефектами. Дія слабких магнітних полів (В=0,17 Тл) на закономірності зміни ВФХ бар’єрних структур є протилежною до дії рентгенівського випромінювання.

Посилання

Макара В.А., Васильєв М.А., Стебленко Л.П., Коплак О.В. та інші. Вызванные действием магнитного поля изменения примесного состава и микротвердости приповерхностных слоев кристаллов кремния // ФТП. — 2008. — Т. 42, №9. — С. 1061-1064.

Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел // ФТТ. — 2004. — Т. 46, №5. — С. 769- 803.

И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, И.Е. Майстренко, П.Ю. Марколенко. Датчик температуры на основе однопереходного и полевого транзисторов радиационном воздействии // Сенсорна

електроніка і мікросистемні технології. — 2009, №2. — С. 18-21.

Електронний цифровий термометр: 23648 А. Україна, G01K 7/02/ А.М. Леновенко, В.М. Василюк, В.І. Капітан. -№96114474; опубліковано 02.06.1998.

Павлик Б.В., Гарапин І.В., Злупко В.М. Особливості дії низькодозного іонізуючого випро-

мінювання на стабільність кремнієвих діодних сенсорів температури // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — 2007, №2. — С. 20- 23.

Стебленко Л.П., Коплак О.В., Мудрий С.І., Кулик Ю.О., Науменко С.М., Кобзар Ю.Л., Кури-

люк А.М. Зміни внутрішніх напружень та параметру гратки кристалів кремнію, стимульовані

комбінованою дією рентгенівського опромінення та магнітного поля // ХІІ міжнародна крнференція “Фізика і технологія тонких плівок та ноносистем”, МКФТТПН-ХІІ // Тези доповідей, 18-23 травня 2009 р. — Івано-Франківськ (Україна), 2009. — Т. 2. — С.98.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-11-24

Номер

Том 6 № 4 (2009)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.