ФОРМУВАННЯ БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ-ФОТОЧУТЛИВИХ МАТРИЦЬ ФОТОПРИЙМАЧІВ, ФОРМАТУ 128Х128 ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ CdHgTe
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.4.116046Ключові слова:
CdHgTe, інфрачевоний фотоприймач, епітаксія, фотолітографіяАнотація
Приведено результати робіт по створенню багатоелементних фотоприймальних пристроїв інфрачервоного діапазону на основі CdHgTe. Запропоновано ряд оригінальних технологічних рішень, з урахуванням механічних та електрофізичних особливостей тонкоплівкового CdHgTe, зокрема: пасивація поверхні епітаксійних плівок CdHgTe, модифікація режимів фотолітографічних процесів, багатошарова металізація та прецизійна гібридизація. За допомогою розробленої технології було сформовано матриці фотоприймачів формату 128х128 елементів.
Посилання
Rogalski A. Infrared detectors: status and trends. Review // Progress in Quantum Electronics. — 2003. — Vol. 27, Issues 2-3. — P. 59-210.
В. В. Васильев, А. С. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, Ю. Г. Сидоров, А. О. Сусляков, А. Л. Асеев. Матричный фото- приемник на основе варизонного изотипного P–p-перехода в слоях КРТ, выращенных методом Молекулярно-Лучевой Эпитаксии // Автометрия. — 2007. — №4. — С. 17-24.
Алфимов С.А., Анциферов А.П., Белоконев В.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А, Дегтярев Е.В., Карташов В.А., Крайлюк А.Д., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Асеев А.Л. Гетероэпитаксиальные структуры теллурида кадмия и ртути для инфракрасных фотоприемников // ХIX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения — Москва (Россия). — 2006. — С. 14.
Сизов Ф.Ф., Фотоэлектроника для систем видения в “невидимих” участках спектра. — К.: Академпериодика, 2008. — 459 с.
Овсюк В.Н., Васильев В.В., Талипов Н.Х., Ромашко Л.Н., Козлов А.И., Клименко А.Г., Марчишин И.В., Фотоприемные устройства на основе слоев КРТ, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. — Новосибирск: Наука,. 2001. — 375 с.
Bubulac L.O. Ion implantation study of HgCdTe // Jpn. J. Appl. Phys. — 1979. — Vol. 19, suppl. 19-1. — P. 495-500.
Ye. Bilevych, A. Soshnikov, L. Darchuk, M. Apatskaya, Z. Tsybrii, M. Vuychik, A. Boka, F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff. Influence of substrate materials on the properties of CdTe thin films grown by hot-wall epitaxy // J. Crys. Grow. — 2005. — Vol. 275. — P. e1177-e1181.
Андреева Е.В., Апатская М.В., Билевич Е.О., Вуйчик Н.В., Дарчук Л.А., Сарсембаева А.З., Сизов Ф.Ф., Цибрий З.Ф. Формирование пассивационного покрытия на основе теллурида кадмия для ИК-фоточувствительной матрицы HgCdTe // ХIX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения — Москва (Россия). — 2006. — С. 110.
Soo-Ho Bae. Effects of post-implantation annealing on LWIR HgCdTe diode characteristics // Proc. SPIE. — 1998. — Vol. 3436, pt.1-2. — P.104-109.
Lopez-Rubio J.A.. Multi-step rapid thermal annealing or boron and indium implanted Hg1-xCdx
Te //J. Electron. Mat. — 1994. — Vol. 23(11). — P. 1245- 1249.
Сизов Ф.Ф., Забудский В.В., Голенков А.Г., Андреева К.В., Гузенко Г.О., Лысюк І.О. Методика измерения темновых токов полупроводниковых многоэлементных структур при криогенных температурах. // Контрольно-измерительные приборы и автоматика. — 2007. — №1. — С.4-7.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
