ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ

Автор(и)

  • V. A. Mokritsky Одеський національний політехнічний університет, Україна
  • V. A. Zavadsky Національний університет "Одеська Морська Академія", Україна
  • S. V. Lenkov Військовий інститут Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна
  • Ya. I. Lepich Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, Україна
  • O. V. Banzak Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.4.116103

Ключові слова:

радіація, епітаксійний шар, радіаційна стійкість, арсенід галія

Анотація

Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсеніду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.

Посилання

С.В. Ленков, В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, В.А. Завадский. Радиационное

управление свойствами материалов и изделий опто — и микро-электроники: Монография.– Одесса: Астропринт, 2002 — 297 с.

Уваров Е.Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений АШВУ, облученных

быстрыми электронами и нейтронами // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — М.: ЦНИИ, Электроника. — Вып. 9. — 1979. –68 с.

Физико-технические основы радиационной технологии полупроводников / С.В. Ленков, В.А. Мокрицкий, Д.А. Перегудов, Г.Т. Тариелашвили / Под ред. В.А. Мокрицкого. — Одесса: УТС ПРИНТ, 2002. — 297 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-11-24

Номер

Том 6 № 4 (2009)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.