ФОТОДІОД, СТІЙКИЙ ДО ФОНОВОГО ОСВІТЛЕННЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.4.116702Ключові слова:
фотодіод, кремній, оптичне випромінювання, фонове випромінювання, конструкція, p-n перехід, чутливістьАнотація
Приведені результати розробки конструкції кремнієвого фотодіода, стійкого до фонового випромінювання оптичного діапазону. Показано, що при оптимізації конструктивних елементів кристалу фотодіода можливо усунути активний вплив фонового засвітлення оптичного випромінювання з довжиною хвилі менше робочої на величину корисного сигналу.
Посилання
Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. Радио, 1978. –с315-316.
А.А. Чернышев. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. –М.: Радио и связь, 1988. -с.42.
Stefan F. Preble, Qianfan Xu, Bradley S. Schmidt, Michal Lipson. Ultrafast all-optical modulation on a silicon chip // Optics Letters - published by OSA. - Volume 30. -2005. - Issue 21. -pp. 2891-2893.
Иванов А.И., Абрамов А.Д.TR Усилитель фототока с автоматической коррекцией нулевого уровня // Приборы и техника эксперимента. -№2. -1998 -с.57-59.
Агишев P.P. Защита от фоновой помехи в оптико-электронных системах контроля состояния атмосферы. М.: Машиностроение, 1994. -128 с.
Nikolaos J. Florous, Kunimasa Saitoh, Masanori Koshiba. Three-color photonic crystal demultiplexer based on ultralow-refractive-index metamaterial technology // Optics Letters - published by OSA. -2005. - Issue 20. - pp. 2685-2810.
Пожарный извещатель пламени ИП332_1/2 “СК” // Схемотехника. -№3. -2001. -с.2-3.
Гаврушко В.В., Раскин А.А., Лебедев А.С., Бондаренко Е.А., Сапожников А.А. Двухспектральный полупроводниковый фотоприемник ИК излучения - в диапазонах 3 - 5 и 8 - 14 мкм // Электронная техника. –Сер.10 Микроэлектронные устройства. –вып. 3, 4 (93, 94). -1992. -с. 62.
http://radiotexnika.x99.ru/doc/radiofan/sxems/29
Деклараційний патент України на винахід № 66666 А Фотодіод. Башкіров С.Ю., Годованюк В.М., Добровольський Ю.Г., Дудницький М.П., Рюхтін В.В. 2004. Заявка № 2003098260 від 05.09.2003. Обубл. 17.052004. Бюл. № 5.
C. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир, 1984. - т. 2, 347с.
Ю.Г. Добровольський. Патент України на корисну модель № 4877 Фотодіод. 15.02.2005. Заявка № 20040503568. Заявлено 13.05.2004. Бюл. №2.
Ащеулов А.А., Годованюк В.Н., Добровольський Ю.Г. та ін. Оптимизация надежности кремниевых р-і-п фотодиодов по темновому току // ТКЭА. 1999. -№1-2. –С.18-21.
Ю.Г. Добровольський, А.А. Ащеулов. Особливості конструкції та технології кремнієвих p-i-n фотодіодів // Фізика і хімія твердого тіла. -Т.2. -№3. -2001. -с.441-447.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
