ФОТОДІОД, СТІЙКИЙ ДО ФОНОВОГО ОСВІТЛЕННЯ

Yu. G. Dobrovolskiy

Анотація


Приведені результати розробки конструкції кремнієвого фотодіода, стійкого до фонового випромінювання оптичного діапазону. Показано, що при оптимізації конструктивних елементів кристалу фотодіода можливо усунути активний вплив фонового засвітлення оптичного випромінювання з довжиною хвилі менше робочої на величину корисного сигналу.


Ключові слова


фотодіод; кремній; оптичне випромінювання; фонове випромінювання; конструкція; p-n перехід; чутливість

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. Радио, 1978. –с315-316.

А.А. Чернышев. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. –М.: Радио и связь, 1988. -с.42.

Stefan F. Preble, Qianfan Xu, Bradley S. Schmidt, Michal Lipson. Ultrafast all-optical modulation on a silicon chip // Optics Letters - published by OSA. - Volume 30. -2005. - Issue 21. -pp. 2891-2893.

Иванов А.И., Абрамов А.Д.TR Усилитель фототока с автоматической коррекцией нулевого уровня // Приборы и техника эксперимента. -№2. -1998 -с.57-59.

Агишев P.P. Защита от фоновой помехи в оптико-электронных системах контроля состояния атмосферы. М.: Машиностроение, 1994. -128 с.

Nikolaos J. Florous, Kunimasa Saitoh, Masanori Koshiba. Three-color photonic crystal demultiplexer based on ultralow-refractive-index metamaterial technology // Optics Letters - published by OSA. -2005. - Issue 20. - pp. 2685-2810.

Пожарный извещатель пламени ИП332_1/2 “СК” // Схемотехника. -№3. -2001. -с.2-3.

Гаврушко В.В., Раскин А.А., Лебедев А.С., Бондаренко Е.А., Сапожников А.А. Двухспектральный полупроводниковый фотоприемник ИК излучения - в диапазонах 3 - 5 и 8 - 14 мкм // Электронная техника. –Сер.10 Микроэлектронные устройства. –вып. 3, 4 (93, 94). -1992. -с. 62.

http://radiotexnika.x99.ru/doc/radiofan/sxems/29

Деклараційний патент України на винахід № 66666 А Фотодіод. Башкіров С.Ю., Годованюк В.М., Добровольський Ю.Г., Дудницький М.П., Рюхтін В.В. 2004. Заявка № 2003098260 від 05.09.2003. Обубл. 17.052004. Бюл. № 5.

C. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир, 1984. - т. 2, 347с.

Ю.Г. Добровольський. Патент України на корисну модель № 4877 Фотодіод. 15.02.2005. Заявка № 20040503568. Заявлено 13.05.2004. Бюл. №2.

Ащеулов А.А., Годованюк В.Н., Добровольський Ю.Г. та ін. Оптимизация надежности кремниевых р-і-п фотодиодов по темновому току // ТКЭА. 1999. -№1-2. –С.18-21.

Ю.Г. Добровольський, А.А. Ащеулов. Особливості конструкції та технології кремнієвих p-i-n фотодіодів // Фізика і хімія твердого тіла. -Т.2. -№3. -2001. -с.441-447.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.4.116702

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)