ФІЗИЧНІ ТА МОДЕЛЬНІ УЯВЛЕННЯ ПРО ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ЕФЕКТИ В БІПОЛЯРНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.1.116841Ключові слова:
напівпровідникові структури, магніточутливі структури, магнітотранзистори, моделюванняАнотація
Аналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов.
Посилання
Балтес Г.П., Попович Р.С. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля // ТИИЭР. - 1986. - Т.74, No.8. - С. 60-90
Kordic S. Integrated silicon magnetic-field sensors // Sensors and Actuators. - 1986. - Vol.10, Nos 3&4. - P. 347-378.
Roumenin Ch.S. Bipolar magnetotransistor sensors // Sensors and Actuators. - 1990. - Vol.A24, No.2. - P. 83-105.
Механизмы чувствительности и методика моделирования физических процессов в магнитотранзисторных структурах / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // 1-а Українська наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв УНКФН-1 (з мiжнародною участю). Одеса, 10-14 вересня 2002 р. Том 2. Стендовi доповiдi. - Тези доповiдей: У 2 т. - Одеса, 2002. - С. 97-98.
Trujillo H., Nagy A. Lateral bipolar magnetotransistor's offset compensation through their common mode response // Sensors and Actuators A. - 2002. - Vol.100, No.1. - P. 32-36.
Пожела Ю.К., Сащук А.П. Магнитоконцентрационные эффекты. - Вильнюс: Институт физики полупроводников АН Лит. ССР, 1983. - 44 с.
Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. - М.: Наука, 1975. - 216 с.
Пат. 2.862.184 США. Semiconductor translating device / R.L.Longini (США); Westinghouse Electric Corporation (США). - No.458.899; Заявлено 28.09.54; Опубликовано 25.11.58; НКИ 324-142. - 5 c., 1 л. ил.
А.с. 1124710 СССР, МКИ G01P 33/022, H01L 29/82. Датчик градиента магнитного поля / И.М.Викулин, М.А.Глауберман, Н.А.Канищева, В.В.Козел. - No.3573788; Заявлено 07.04.83; Опубликовано 15.07.84. - 5 с., 1 л. ил.
Huijsing J.H. Signal conditioning on the sensor chip. // Sensors and Actuators. - 1986. - Vol.10, Nos 3&4. - P. 219-237.
Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, В.В.Козел, Н.А.Канищева // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т.37, No.1. - С. 32-37.
Zieren V., Duyndam B.P.M. Magnetic-field-sensitive multicollector n-p-n transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1982. - Vol.ED-29, No.1. - P. 83-90.
Popovic R.S., Baltes H.P. An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors // IEEE Eelectron Device Letters. - 1983. - Vol.EDL-4, No.3. - P. 51-53.
Davies L.W., Wells M.S. Magneto-transistor incorporated in an integrated circuit. // Proceedings I.R.E.E. Australia. - 1971. - June. - P. 235-238.
Roumenin Ch.S., Kostov P.T. Tripole Hall sensor // Доклады Болгарской академии наук. - 1985. - Vol.38, No.9. - P. 1145- 1148.
Особенности двумерного моделирования дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // Журнал технической физики. - 1997. - Т.67, No.7. - С. 39-41.
Викулин И.М., Глауберман М.А., Егоров В.В. Расчет чувствительности двухколлекторных магнитотранзисторов // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. - 1990. - Вып.1 (204). - С. 9-14.
Suppressed sidewall injection magnetotransistor in CMOS technology / Lj.Ristic, T.Smy, H.P.Baltes, I.Filanovsky // Transducers'87, 4th Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators, Tokyo, June 2-5, 1987, Techn. Dig. - P. 543- .
Викулин И.М., Глауберман М.А., Канищева Н.А. К вопросу о распределении потока неосновных носителей заряда в базе двухколлекторного магнитотранзистора // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Т.11, No.4. - С. 645-650.
Викулина Л.Ф., Козел В.В. Чувствительность двухколлекторных магнитотранзисторов // Радиотехника и электроника. - 1985. - Т. 30, No.4. - С. 824-826.
Zieren V., Kordic S., Middelhoek S. Comment on "Magnetic transistor behaviour explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection" // IEEE Electron Device Letters. - 1982. - Vol.EDL-3, No.12. - P. 394-395.
Vinal A.W., Masnary N.A. Responce to "Comment on 'Magnetic transistor behaviour explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection'" // IEEE Electron Device Letters. - 1982. - Vol.EDL-3, No.12. - P. 396-397.
Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными электродами / И.М.Митникова, Т.В.Персиянов, Г.И.Рекалова, Г.Штюбнер // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Т.12, No.1. - С. 48-51.
Альтернативы конструктивно-технологической оптимизации дрейфовых магнитотранзисторов/ М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // Мiжнародна науково-технiчна конференцiя "Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологii" СЕМСТ-1. Одеса, 1-5 червня 2004 р. Тези доповiдей. - Одеса, 2004. - С. 94.
Метод расчета выходных характеристик двухколлекторного магнитотранзистора / И.М.Викулин, М.А.Глауберман, В.В.Егоров, В.В.Козел // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. - 1989. - Вып.6(203). - С. 63-65.
Влияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структур / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел, Л.Ю.Станкова // Фотоэлектроника (Одесса). - 2000. - No.9. - C. 79-85.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
