DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.1.116841

ФІЗИЧНІ ТА МОДЕЛЬНІ УЯВЛЕННЯ ПРО ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ЕФЕКТИ В БІПОЛЯРНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

M. A. Glauberman, V. V. Yegorov, N.. A Kanischeva, V. V. Kozel

Анотація


Аналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов.


Ключові слова


напівпровідникові структури; магніточутливі структури; магнітотранзистори; моделювання

Повний текст:

PDF

Посилання


Балтес Г.П., Попович Р.С. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля // ТИИЭР. - 1986. - Т.74, No.8. - С. 60-90

Kordic S. Integrated silicon magnetic-field sensors // Sensors and Actuators. - 1986. - Vol.10, Nos 3&4. - P. 347-378.

Roumenin Ch.S. Bipolar magnetotransistor sensors // Sensors and Actuators. - 1990. - Vol.A24, No.2. - P. 83-105.

Механизмы чувствительности и методика моделирования физических процессов в магнитотранзисторных структурах / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // 1-а Українська наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв УНКФН-1 (з мiжнародною участю). Одеса, 10-14 вересня 2002 р. Том 2. Стендовi доповiдi. - Тези доповiдей: У 2 т. - Одеса, 2002. - С. 97-98.

Trujillo H., Nagy A. Lateral bipolar magnetotransistor's offset compensation through their common mode response // Sensors and Actuators A. - 2002. - Vol.100, No.1. - P. 32-36.

Пожела Ю.К., Сащук А.П. Магнитоконцентрационные эффекты. - Вильнюс: Институт физики полупроводников АН Лит. ССР, 1983. - 44 с.

Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. - М.: Наука, 1975. - 216 с.

Пат. 2.862.184 США. Semiconductor translating device / R.L.Longini (США); Westinghouse Electric Corporation (США). - No.458.899; Заявлено 28.09.54; Опубликовано 25.11.58; НКИ 324-142. - 5 c., 1 л. ил.

А.с. 1124710 СССР, МКИ G01P 33/022, H01L 29/82. Датчик градиента магнитного поля / И.М.Викулин, М.А.Глауберман, Н.А.Канищева, В.В.Козел. - No.3573788; Заявлено 07.04.83; Опубликовано 15.07.84. - 5 с., 1 л. ил.

Huijsing J.H. Signal conditioning on the sensor chip. // Sensors and Actuators. - 1986. - Vol.10, Nos 3&4. - P. 219-237.

Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, В.В.Козел, Н.А.Канищева // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т.37, No.1. - С. 32-37.

Zieren V., Duyndam B.P.M. Magnetic-field-sensitive multicollector n-p-n transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1982. - Vol.ED-29, No.1. - P. 83-90.

Popovic R.S., Baltes H.P. An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors // IEEE Eelectron Device Letters. - 1983. - Vol.EDL-4, No.3. - P. 51-53.

Davies L.W., Wells M.S. Magneto-transistor incorporated in an integrated circuit. // Proceedings I.R.E.E. Australia. - 1971. - June. - P. 235-238.

Roumenin Ch.S., Kostov P.T. Tripole Hall sensor // Доклады Болгарской академии наук. - 1985. - Vol.38, No.9. - P. 1145- 1148.

Особенности двумерного моделирования дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // Журнал технической физики. - 1997. - Т.67, No.7. - С. 39-41.

Викулин И.М., Глауберман М.А., Егоров В.В. Расчет чувствительности двухколлекторных магнитотранзисторов // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. - 1990. - Вып.1 (204). - С. 9-14.

Suppressed sidewall injection magnetotransistor in CMOS technology / Lj.Ristic, T.Smy, H.P.Baltes, I.Filanovsky // Transducers'87, 4th Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators, Tokyo, June 2-5, 1987, Techn. Dig. - P. 543- .

Викулин И.М., Глауберман М.А., Канищева Н.А. К вопросу о распределении потока неосновных носителей заряда в базе двухколлекторного магнитотранзистора // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Т.11, No.4. - С. 645-650.

Викулина Л.Ф., Козел В.В. Чувствительность двухколлекторных магнитотранзисторов // Радиотехника и электроника. - 1985. - Т. 30, No.4. - С. 824-826.

Zieren V., Kordic S., Middelhoek S. Comment on "Magnetic transistor behaviour explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection" // IEEE Electron Device Letters. - 1982. - Vol.EDL-3, No.12. - P. 394-395.

Vinal A.W., Masnary N.A. Responce to "Comment on 'Magnetic transistor behaviour explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection'" // IEEE Electron Device Letters. - 1982. - Vol.EDL-3, No.12. - P. 396-397.

Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными электродами / И.М.Митникова, Т.В.Персиянов, Г.И.Рекалова, Г.Штюбнер // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Т.12, No.1. - С. 48-51.

Альтернативы конструктивно-технологической оптимизации дрейфовых магнитотранзисторов/ М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел // Мiжнародна науково-технiчна конференцiя "Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологii" СЕМСТ-1. Одеса, 1-5 червня 2004 р. Тези доповiдей. - Одеса, 2004. - С. 94.

Метод расчета выходных характеристик двухколлекторного магнитотранзистора / И.М.Викулин, М.А.Глауберман, В.В.Егоров, В.В.Козел // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. - 1989. - Вып.6(203). - С. 63-65.

Влияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структур / М.А.Глауберман, В.В.Егоров, Н.А.Канищева, В.В.Козел, Л.Ю.Станкова // Фотоэлектроника (Одесса). - 2000. - No.9. - C. 79-85.




Copyright (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)