ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ, ЩО МАЮТЬ НЕГАТИВНУ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНУ ЄМНІСТЬ, ДІОДІВ ШОТТКІ З GAAS/INAS КВАНТОВИМИ ТОЧКАМИ

Автор(и)

  • S. D. Lin Національний університет Цзяотун
  • C. P. Lee Національний університет Цзяотун
  • V. V. Ilchenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • V. V. Marin Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • M. V. Shkil Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • A. A. Buyanin Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • K. Y. Panarin Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • O. V. Tretyak Київський національний університет імені Тараса Шевченка

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.2.117514

Ключові слова:

квантова точка, квантова яма, негативна диференціальна ємність, РСГР

Анотація

Вольт-фарадні дослідження проводилися на діодах Шотткі з GaAs/InAs квантовими точками та квантовими ямами. Експериментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності(НДЄ). Енергетична картина структур досліджувалася за допомогою релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів. Було проведено чисельне моделювання вольт-фарадних залежностей, де параметрами були температура та концентрація квантових точок, що описує ефект НДЄ та добре співпадає з експериментальними результатами. 

Посилання

V.V.Ilchenko, S.D.Lin, C.P.Lee, O.V.Tretyak, J.Appl.Phys. 89, 1172(2001).

H.L.Wang, D.Ning, H.J.Zhu, F.Chen, H.Wang, X.D.Wang, S.L.Feng, J. of Crystal Growth 208, 107(2000).

O.Engström, M.Kaniewska, Y.Fu, J.Piscator, M.Malmkvist, Appl.Phys.Let. 85, 2908(2004).

C. M. A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 77, 4169(2000).

W.R. Jiang, Jie Qin, D.Z. Hu, H. Xiong, Z.M. Jiang, J. of Crystal Growth 227, 1106(2001).

S.Schulz, S.Schnümll, Ch.Heyn, W.Hansen, Phys.Rev.B. B69, 195317(2004).

V.Ya.Aleshkin, N.A.Bekin, M.N.Buyanova et al, 33, 1133(1999).

A.J.Chiquito, Yu.A. Pusep et al, J.Appl.Phys. 88, 1987(2000).

A.J.Chiquito, Yu.A.Pusep, S. Mergulhao and J. C. Galzerani. Phys.Rev.B. 61, 5499(2000).

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-12-05

Номер

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори