DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.2.117514

ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ, ЩО МАЮТЬ НЕГАТИВНУ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНУ ЄМНІСТЬ, ДІОДІВ ШОТТКІ З GAAS/INAS КВАНТОВИМИ ТОЧКАМИ

S. D. Lin, C. P. Lee, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, M. V. Shkil, A. A. Buyanin, K. Y. Panarin, O. V. Tretyak

Анотація


Вольт-фарадні дослідження проводилися на діодах Шотткі з GaAs/InAs квантовими точками та квантовими ямами. Експериментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності(НДЄ). Енергетична картина структур досліджувалася за допомогою релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів. Було проведено чисельне моделювання вольт-фарадних залежностей, де параметрами були температура та концентрація квантових точок, що описує ефект НДЄ та добре співпадає з експериментальними результатами. 


Ключові слова


квантова точка; квантова яма; негативна диференціальна ємність; РСГР

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


V.V.Ilchenko, S.D.Lin, C.P.Lee, O.V.Tretyak, J.Appl.Phys. 89, 1172(2001).

H.L.Wang, D.Ning, H.J.Zhu, F.Chen, H.Wang, X.D.Wang, S.L.Feng, J. of Crystal Growth 208, 107(2000).

O.Engström, M.Kaniewska, Y.Fu, J.Piscator, M.Malmkvist, Appl.Phys.Let. 85, 2908(2004).

C. M. A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 77, 4169(2000).

W.R. Jiang, Jie Qin, D.Z. Hu, H. Xiong, Z.M. Jiang, J. of Crystal Growth 227, 1106(2001).

S.Schulz, S.Schnümll, Ch.Heyn, W.Hansen, Phys.Rev.B. B69, 195317(2004).

V.Ya.Aleshkin, N.A.Bekin, M.N.Buyanova et al, 33, 1133(1999).

A.J.Chiquito, Yu.A. Pusep et al, J.Appl.Phys. 88, 1987(2000).

A.J.Chiquito, Yu.A.Pusep, S. Mergulhao and J. C. Galzerani. Phys.Rev.B. 61, 5499(2000).




Copyright (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)