ДОСЛІДЖЕННЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ШАРІВ ПОЛІКРЕМНІЮ НА ІЗОЛЯТОРІ ДЛЯ СТВОРЕННЯ СЕНСОРІВ ТЕПЛОВИХ І МЕХАНІЧНИХ ВЕЛИЧИН
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.2.117519Ключові слова:
шари полікремнію на ізоляторі, лазерна рекристалізація, кріогенні температури, п’єзоопір, магнітоопір, сенсори температури і механічних величинАнотація
Досліджено властивості шарів полікремнію на ізоляторі, нерекристалізованих та після лазерної рекристалізації, легованих бором, в температурному діапазоні 4,2÷300К і в сильних магнітних полях до 14Т. Проводились вимірювання температурної залежності опору нерекристалізованих і рекристалізованих шарів полікремнію з різною концентрацією носіїв від 31017см-3 до 1,71020см-3, п’єзоопору рекристалізованих шарів з концентрацією носіїв 4,81018см-3 і 1,71020см-3 в інтервалі температур 4,2-300К, а також магнітоопору всіх досліджуваних зразків при гелієвих температурах. Визначено концентрації носіїв заряду шарів полікремнію на ізоляторі, придатних для створення сенсорів температури і п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах і в сильних магнітних полях.Посилання
French P.J., Evans A.G. Piezoresistance in polysilicon and its application to strain gauges// Solid State Electronics. – 1989. – Vol.32, No.1. – P.1–10.
Obermeier E., Kopystinsky P. Polysilicon as a material for microelectronic applications// Sensors and Actuators, 1992.–Vol.30A.– P.149–155.
Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Voronin V. Mechanical sensors based on laser-recrystallized SOI structures//Sensors and Actuators A.Physical.–A61.–1997.–P.400-404.
Druzhinin A., Maryamova I., Lavitska E., et al. Laser recrystallized polysilicon layers for sensor application: electrical and piezoresistive characterization// In Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, Eds. P.L.F.Hemment et al., Kluwer Acad. Publ.– Dordrecht .–2000.– P.127-135.
Druzhinin А., Lavitska E., Maryamova I., Khoverko Y. Laser recrystallized SOI layers for sensor applications at cryogenic temperatures. F. Balestra et al. (eds.) Progress in SOI structures and Devices Operating at Extreme Conditions. Kluwer Acad. Publishers. Printed in the Netherlands.– 2002. – P. 233 – 237.
Druzhinin A.A., Kostur V.G., Kogut I.T., Pankevich I.M., Deschinsky Y.L. Microzone laser recrystallized polysilicon layers on insulator // Phys. and Tech. Probl. of SOI Struct. and Devices. J.P.Collinge et al. (eds.) NATO ASI Series. Kluwer Acad. Publishers, Netherlands.– 1995.– P.101–105.
Кобка В.Г., Комиренко Р.П., Конюшин Ю.В. и др. Об электропроводности поликристаллических полупроводников // Физика твердого тела. – 1982. – Т.16. – С.2176–2178.
Druzhinin А., Maryamova I., Kogut I. et al. Polysilicon-on-insulator layers at cryogenic temperatures and high magnetic fields// In Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment, Eds.D. Flandre et al. Kluwer Acad. Publ.– Netherlands.–2005.–P. 297-302.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
