ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ, УЛЬТРАЗВУКУ, ЕЛЕКТРИЧНОГО СТРУМУ НА НЕПРУЖНОПРУЖН І ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЛАКСАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В Ge-Si ТА SiO2
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.3.117744Ключові слова:
ультразвук, електричний струм, технологічний відпал, внутрішнє тертя, модуль пружності, релаксаційні процеси, дислокаціїАнотація
Розглянуто вплив постійного та змінного електричного струму при одночасній
дії ультразвукової деформації на внутрішнє тертя і модуль пружності монокристалу твердого розчину GeSi орієнтації [111] після різки та шліфування. Встановлено зменшення модуля пружності та ріст внутрішнього тертя при досягненні критичной величини електричного струму. Встановлено вплив релаксаційних процесів структурних дефектів кристалічної решітки на температурний спектр внутрішнього тертя та модуля пружності (вказівної поверхні непружно-пружного тіла) GeSi при тепловому та ультразвуковому впливі.
Посилання
Куликовский В. Ю., Ворличек В., Богач П. и др., Механические свойства аморфных и нанокристаллических пленок кремния и карбида кремния // Наноструктурное материаловедение. — 2008. — № 1. — С. 42–51.
Власкина С. И., Свечников Г. С., Смынтына В. А., Пленки карбида кремния. — Одесса: Астропринт, 2007. — 104 с.
Кекуа М. Г., Хуцишвили Э. В., Твердые растворы полупроводниковой системы германий — кремний.— Тбилиси: Мецниереба, 1985. — 176 с.
Хіврич В. І., Ефекти компенсації та проникаючої радіації в монокристаллах CdTe. — Київ: Ін-т ядерних досл., 2010. — 122 с.
Молодкин В. Б., Низкова А. И., Шпак А. П. и др., Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов. — Киев: Академпериодика, 2005. — 364 с.
Kravtsov M. V., Lyashenko O. V., Onanko A. P., Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals // Functonal materials. — 2004. — V.11, № 2. — P. 353–355.
Veleshchuk V. P., Lyashenko O. V., Myagchenko Y. A. et al., Evolution of the electroluminescence spectra and the acoustic emission of the epitaxial structures of GaAsP // J. Applied Spectroscopy. — 2004. — V.71. — P. 553–557.
Вашпанов Ю. А., Смынтына В. А., Адсорбционная чувствительность полупроводников. — Одесса: Астропринт, 2005. — 216 с.
Сминтина В. А., Фізико-хімічні явища на поверхні твердих тіл. — Одеса: Астропринт, 2009. — 192 с.
Лось В. Ф., Репецький С. П., Методы теории неупорядоченных систем. Электронные свойства сплавов.— Киев: Наукова думка,1995. — 176 с.
Примаченко В. Е., Кононец Я. Ф., Булах Б. М. и др., Электрофизический свойства пористого кремния, модифицированного нанокристаллами золота // Наносистемы, наноматеріали,
нанотехнології. — 2005. — Т.3, № 2. — С. 399–412.
Lyashenko O. V., Onanko A. P., Influence of electrical current on elastic and unelastic properties of CdTe // Photoelectronics. — 2008. — № 19. — P. 78–80.
Каназава Т., Неорганические фосфатные материалы. — Киев: Наукова думка, 1998. — 298 с.
Шпак А. П., Куницкий Ю. А., Карбовский В. Л., Кластерные и наноструктурные материалы. — Киев: Академпериодика,2001.—588 с.
Онанко А. П., Подолян А. А., Островский И. В., Влияние ультразвуковой обработки на внутреннее трение в кремнии // Письма в ЖТФ. — 2003. — Т.29, № 15. — С. 40–44.
Lyashenko O. V., Onanko A. P., Veleschuk V. P. et al., Structural defects relaxation during complex thermal and dynamical mechanic processing of CdTe // Photoelectronics. — 2008. — № 17. — P. 10–12.
Александров Л. Н., Зотов М. И., Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. — Новосибирск: Наука, 1979. — 159 с.
Новик А., Берри Б., Релаксационные явления в кристаллах. — М.: Атомиздат, 1975. — 472 с.
Никаноров С. П., Кардашев Б. К., Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. — М.: Наука, 1985. — 253 с.
Юркова А. И., Белоцкий А. В., Бякова А. В., Исследование механизма диспергирования железа при интенсивной пластической деформации
трением // Наносистемы, наноматеріали, нанотехнології. — 2006. — Т.4, № 2. — С. 483–500.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
