ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНА РЕНТГЕНОПРОВІДНІСТЬ ОСОБЛИВО ЧИСТИХ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ

Автор(и)

  • М. С. Бродин Інститут фізики НАН України
  • В. Я. Дегода Інститут фізики НАН України
  • Б. В. Кожушко Інститут фізики НАН України
  • А. О. Софієнко Інститут фізики НАН України

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.4.118607

Ключові слова:

рентгенопровідність, детектори Y-випромінювання, надлінійні ВАХ

Анотація

Проведені експериментальні дослідження температурних залежностей рентгенолюмінесценції, рентгено- і темнової провідності високоомних нелегованих кристалів ZnSe. Встановлено, що темнова провідність зразків при температурах Т > 400 К обумовлена термічною делокалізацією носіїв з глибоких локальних рівнів ЕТ = 0.83 еВ, і величина рентгенопровідності при нагріванні до 350 К монотонно спадає, але при вищих температурах — навіть поступово зростає. Завдяки виявленим особливостям температурної поведінки рентгенопровідності кристалів ZnSe, їх можна застосовувати як детектори рентгенівського та Y-випромінювання, які надійно працюватимуть при температурах навколишнього середовища  100 0C ( високотемпературні детектори).

Біографії авторів

М. С. Бродин, Інститут фізики НАН України

M. S. Brodyn

В. Я. Дегода, Інститут фізики НАН України

V. Y. Degoda

Б. В. Кожушко, Інститут фізики НАН України

B. V. Kozhushko

А. О. Софієнко, Інститут фізики НАН України

A. A. Sofienko

Посилання

Калинина Е. В. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n — переходов

/ Е. В. Калинина, Н. Б. Строкан, А. М. Іванов, А. А. Ситникова, А. В. Садовин, А. Ю. Азаров, В. Г. Коссов, Р. Р. Яфаев // ФТП. — 2008. — т.42, в.1. — С.87–93.

Калинина Е. В. Р-n — детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375°С) / Е. В. Калинина, А. М. Іванов, Н. Б. Строкан // Письма в ЖТФ. — 2008. — т.34, в.5. — С.63–70.

Клайнкнехт К. Детекторы корпускулярных излучений / К. Клайнкнехт: пер. с нем. — М.: Мир, 1990. — 224 с

Берг А. Светодиоды / А. Берг, П. Дин : пер. с англ. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 682 с.

Кристаллы сцинтилляторов и детекторов ионизирующих излучений на их основе / Атрощенко Л. В., Бурачас С. Ф., Гальчинецкий Л. П. и

др. — Киев: Наук. думка, 1998. — 166 с. — (глава 3).

Недеогло Д. Д. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка / Д. Д. Недеогло, А. В. Симашкевич. — Кишинев: Штиинца,

— 150 с.

Бродин М. С. Влияние облучения электронами на экситонную фотолюминесценцию монокристаллов ZnSe / М. С. Бродин, Б. Ш. Королько, П. С. Кособуцкий, Л. Ф. Лысенко // УФЖ. — 1976. — Т.21, № 7. — С.1086–1089.

Дегода В. Я. Фото- и рентгенолюминесценция ZnSe / В. Я. Дегода, Б. Р. Кияк, В. С. Манжара, В. Е. Родионов, А.И Проскура // Неорганические материалы. — 2000. — т.36, № 5. — С.624–627.

Весна Г. В. Рентгенопроводимость поликристаллического селенида цинка / Г. В. Весна, Х. В. Гуцуляк, В. Я. Дегода, Б. Р. Кияк, В. С. Манжара, А. Н. Проскура // Неорганические материалы. — 1997. — т.33, в.2. — С.178–180.

Дегода В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // ФТП. — 2010. — т. 44, вып. 5. — C. 594–599.

Эльмуротова Д. Б. Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe (Te, O) после - облучения / Д. Б. Эльмуротова, Э. М. Ибрагимова

// ФТП,- 2007. — т. 41, вып. 10. — C. 1153–1157.

Дегода В. Я. Вплив характеру збудження на люмінесценцію і провідність селеніду цинку / В. Я. Дегода, А. О. Софієнко // Вісник Київ. унту. Cерія: фізика. — 2006. — № 8. — C. 52–55.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-12-15

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів