DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.4.119071

ФОРМУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ ТЕЛУРИДУ СВИНЦЮ ПРИ ГАРТУВАННІ

Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, Ю. В. Лисюк, Л. Й. Межиловська

Анотація


Преставлено термодинамічний аналіз процесів дефектоутворення у загартованих монокристалах телуриду свинцю. Методом термодинамічних потенціалів розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів у кристалах від технологічних параметрів двотемпературного відпалу (температури Т та тиску пари халькогену РТе). Визначено тип та концентрацію домінуючих власних точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Показано, що врахування процесів перерозподілу точкових дефектів при гартуванні покращує кореляцію теоретичних результатів з експериментальними даними холлівських вимірювань.


Ключові слова


телурид свинцю; точкові дефекти; двотемпературний відпал; електричні властивості

Повний текст:

PDF

Посилання


Заячук Д. М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца. // ФТП. — 1997. — Т. 31. № 2. — С. 1692–1713.

Кайданов В. И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа АIVBVI // Успехи физических наук. — 1985. —

Т.145, Вып.1. — С.51–86.

Шперун В. М., Фреїк Д. М., Запухляк Р. І.. Термоелектрика плюмбум телуриду та його аналогів. — Івано-Франківськ: Плай, 2000, — 250 с.

Фреїк Д. М., Прокопів В. В., Галущак М. О., Пиц М. В., Матеїк Г. Д., Кристалохімія і термодинаміка дефектів у сполуках АIVВVI. — ІваноФранківськ: Плай, 1999, — 164 с.

Чеснокова Д. Б., Камчатка М. И.. Моделирование процессов дефектообразования и свойства халькогенидов свинца. // НМ. — 2001. — Т.37, № 2. — С. 157–164.

Немов С. А., Равич Ю. И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности // Успехи физических наук. —

— Т.168, № 8. — С. 817–842.

Черник И. А., Березин А. В., Лыков С. Н. Сабо Е. П., Титаренко Ю. Д.. Прямое наблюдение резонансных состояний, связанных с вакансионнными дефектами в халькогенной подрешетке PbTe // Письма в ЖЭТФ. — 1988. — Т.48, в.10. — С.550–553.

Matsushita Y.. Superconductivity and mixed valency in thallium-doped lead telluride // Dissertation submitted to the department of materials science and engineering and the committee on graduate studies of Stanford university in partial fulfillment of the requirements for the degree of doctor of philosophy. 2007. — 164 p.

Смирнов И. К., Уханов Ю. И.. Исследование валентной зоны теллурида свинца по данным отраженияв инфракрасной области спектра // ФТП. — 1969. — Т.3. № 12. — С. 1833–1836.

Виноградова М. И., Тамарченко В. И., Прокофьева Л. В. Параметры сложной валентной зоны и особенности проводимости в р-PbTe // ФТП. — 1975. — Т.9, № 3. — С. 483–487.

Грузинов Б. Ф., Драбкин И. А., Захарюгина Г. Ф., Матвеенко А. В., Нельсон И. В.. Положение уровня Ферми в сплавах PbTe, легированных примесью In, в области высоких температур. // ФТП. — 1979. — Т.13. № 2. — С. 330–334

Прокофьева Л. В., Пшенай-Северин Д. А., Константинов П. П., Шабалдин А. А.. Электронный спектр и рассеяние носителей тока

в PbTe:Na+Te //ФТП. — 2009. — Т. 43, № 9. — С. 1195–1198.

Дубровская И. Н., Равич Ю. И.. Исследование непараболичности зоны проводимости PbTe методом измерения термоэдс в сильном магнитном

поле. // ФТТ. — 1966. — Т.8, № 5. — С. 1455–1460.

Семенченко В. К., Избранные главы теоретической физики, М.: Просвещение, 1966, — 396 c.

Румер Ю. Б., Рывкин М. Ш., Термодинамика, статистическая физики и кинетика. М.: Наука, 1972, — 400 с.

Панкратов О. А., Поваров П. П. Многоэлектронные эффекты и зарядовые состояния вакансий в полупроводниках АIVBVI // ФТТ. — 1988. — Т.30, № 3. — С.880–882.

Parada N. J., Pratt G. W. New Model for Vacancy States in PbTe. // Phys. Rev. Lett. — 1969. — V. 22, № 5. — P. 180–182.

Прокопів В. В., Горічок І. В. Юрчишин Л. Д. Енергії утворення моновакансій у кристалах А3В5 та А4В6 // Фізика і хімія твердого тіла, — 2010. — Т. 11, № 4. — С.849–852.

Khang Í., Mahanti S. D., Puru J.. Theoretical study of deep-defect states in bulk PbTe and in thin films // Phys. Rev., — 2007. — B 76. — P. 115432–1–115432–18.

Волков Б. А., Панкратов О. А., Сазонов А. В. Зонная структура полупроводников группы А4В6 в приближении сильной связи на р-орбиталях // ФТП, — 1982. — Т.16, № 10. — С. 1734–1742.

Крегер Ф.. Химия несовершенных кристаллов, М.: Мир, 1972, — 640 с.

Зломанов В. П., Новоселова А. В.. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металл-халькоген. М.: Наука, 1987, — 208 с.




Copyright (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)