РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОДАТЧИКІВ

Автор(и)

  • Ш. Д. Курмашев Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • И. М. Викулин Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.4.119723

Ключові слова:

термодатчики, транзистори, випромінювання, деградація

Анотація

Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення
 від величини потоків електронів, нейтронів і -квантів, а також вплив ефективної концентрац ії типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і  залежить від конструктивнотехнолог ічних параметрів транзисторів.

Посилання

Шарапов В. М., Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Датчики. — Киев: Брама, 2008. — 1072 с.

Викулина Л. Ф., Глауберман М. А. Физика сенсоров температуры и магнитного поля. — Одесса: Маяк, 2000. — 244 с.

Мокрицкий В. А., Завадский В. А., Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры // Технология и констр. в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25–27.

Маслов Н. И., Неклюдов И. М., Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика

радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2002. — С. 53–56.

Emtsev V. V., Ehrhart P., Poloskin D. S., Dedek U., Electron irradiation of heavily doped silicon: group-III impurity ion pairs // Physica B: Condensed Matter. — 2000. — Vol. 273–274. — P. 287–290.

Emtsev V. V., Ehrhart P., Poloskin D. S., Emtsev K. V., Comparative studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures // J. Mater.Sci.: Mater Electron. —

— Vol. 18. — P. 711–714.

Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. — Москва: МГИЭМ., 2001. — 70 с.

Викулин И. М., Стафеев В. И., Физика полупроводниковых приборов. — Москва: Радио и связь, 2000. — 270 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-12-27

Номер

Том 8 № 4 (2011)

Розділ

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.