РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОДАТЧИКІВ

Автор(и)

  • Ш. Д. Курмашев Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • И. М. Викулин Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.4.119723

Ключові слова:

термодатчики, транзистори, випромінювання, деградація

Анотація

Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення
 від величини потоків електронів, нейтронів і -квантів, а також вплив ефективної концентрац ії типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і  залежить від конструктивнотехнолог ічних параметрів транзисторів.

Біографії авторів

Ш. Д. Курмашев, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

S. D. Kurmashev

И. М. Викулин, Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова

I. M. Vikulin

Посилання

Шарапов В. М., Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Датчики. — Киев: Брама, 2008. — 1072 с.

Викулина Л. Ф., Глауберман М. А. Физика сенсоров температуры и магнитного поля. — Одесса: Маяк, 2000. — 244 с.

Мокрицкий В. А., Завадский В. А., Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры // Технология и констр. в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25–27.

Маслов Н. И., Неклюдов И. М., Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика

радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2002. — С. 53–56.

Emtsev V. V., Ehrhart P., Poloskin D. S., Dedek U., Electron irradiation of heavily doped silicon: group-III impurity ion pairs // Physica B: Condensed Matter. — 2000. — Vol. 273–274. — P. 287–290.

Emtsev V. V., Ehrhart P., Poloskin D. S., Emtsev K. V., Comparative studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures // J. Mater.Sci.: Mater Electron. —

— Vol. 18. — P. 711–714.

Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. — Москва: МГИЭМ., 2001. — 70 с.

Викулин И. М., Стафеев В. И., Физика полупроводниковых приборов. — Москва: Радио и связь, 2000. — 270 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-12-27

Номер

Розділ

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів