DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2018.1.126353

НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ФОТОПРОВІДНІСТЬ ТА ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНА ПРОВІДНІСТЬ МОНОКРИСТАЛІВ Tl1-xIn1-xSnxSe2

В. Кажукаускас, Г. Л. Мирончук, Р. Гарбачаускас, О. В. Парасюк, С. Савіцкі, О. В. Новосад, С. П. Данильчук, Л. В. Піскач

Анотація


Досліждені спектри фотопровідності в температурному інтервалі Т≈36-200 К та спектри термостимульованих струмів в температурному інтервалі Т≈70-300 К монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2, отриманих методом напрямленої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера. Виявлена індукована фотопровідність та довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Для інтерпретації отриманих результатів запропонована модель двоцентрової рекомбінації. Показано, що роль r-центрів повільної рекомбінації в монокристалах Tl1-xIn1-xSnxSe2 виконують вакансії Tl. На основі досліджень спектрів термостимульованих струмів визначено термічну енергію активації електронів з t-рівнів прилипання.


Ключові слова


монокристали; дефекти; фотопровідність; термостимульована провідність

Повний текст:

PDF

Посилання


S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, A. I. Dzhabbarov. Dielectric properties and charge transfer in (TlInSe2)0. 1(TlGaTe2)0. 9 for the DC and AC current // Phys. Solid State, 56(6), pp. 1096–1100 (2014).

R. S. Madatov, A. I. Najafov, Yu. M. Mustafayev, M. R. Gazanfarov, I. M. Movsumova. Features of the electrical conductivity of TlInSe2 under photoexcitation and X-ray excitation // Semiconductors, 49(9), pp. 1166–1169 (2015).

R. S. Madatov, A. I. Nadzhafov, T. B. Tagiev, M. R. Gazanfarov. The mechanism of a current passing in TlInSe2 monocrystals in strong fields // Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 46(5), pp. 497–500 (2010).

N. K. Tovstyuk. Optical studies of intercalated layer crystals as materials of functional electronics // Sens. elektron. mikrosist. tehnol., 11(2), pp. 53–60 (2014).

Y. M. Stakhira. Deformation modulation of electronic states in layered crystals // Sens. elektron. mikrosist. tehnol., 14(4), pp. 27–36 (2017).

Y. Stakhira, R. Stakhira. Piezophotoconductivity spectra of semiconductor layered crystal // Sens. elektron. mikrosist. tehnol., 13(4), pp. 44–49 (2016).

A. Z. Abasova, R. S. Madatov, A. I. Nadzhafov, M. R. Hazanfarov. Vliyaniye γ-oblucheniya na elektricheskiye i fotoelektricheskiye svoystva geteroperekhodov p-TlInSe2 / n-TlSe // Prikladnaya fizika, №5, s. 112-117 (2011).

K. Mimura, K. Wakita, M. Arita, N. Mamedov, G. Orudzhev, Y. Taguchi, K. Ichikawa, H. Namatame, M. Taniguchi. Angle-resolved photoemission study of quasi one-dimensional TlInSe2 //J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 156-158, pp. 379-382 (2007).

M. -H. Yu. Seyidov, A. P. Odrinskii, R. A. Suleymanov, E. Acar, T. G. Mammadov, V. B. Alieva. Pyroelectric properties and structural defects of a layered TlInS2 crystal doped with lanthanum // Phys. Solid State, 56(10), pp. 2028– 2034 (2014).

G. E. Davydyuk, O. Yu. Khyzhun, A. H. Reshak, H. Kamarudin, G. L. Myronchuk, S. P. Danylchuk, A. O. Fedorchuk, L. V. Piskach, M. Yu. Mozolyuk, O. V. Parasyuk. Photoelectrical properties and the electronic structure of Tl1-xIn1- xSnxSe2 (x=0, 0. 1, 0. 2, 0. 25) single crystalline alloys // Phys. Chem. Chem. Phys., 15(18), pp. 6965-6972 (2013).

S. P. Danylchuk, G. L. Myronchuk, M. Yu. Mozolyuk, V. V. Bozhko. On the preparation and photoelectric properties of Tl1-xIn1-xSnxSe2 (x=0. 1–0. 25) alloys //Semiconductors, 50(1), pp. 38-42 (2016).

O. V. Novosad, V. V. Bozhko, I. V. Kityk, V. Vertelis, A. Nekrosius, V. Kazukauskas. Photoelectrical and piezooptical properties of Cu1-xZnx- InS2 solid solutions // Sens. elektron. mikrosist. tehnol., 12(1), pp. 53–62 (2015).

V. V. Serdyuk, G. G. Chemeresyuk, M. Terek. Fotoelektricheskie protsessyi v poluprovodnikah. Vyisshaya shkola, Kiev-Odessa. 151 s. (1982).

Richard H. Bube. Photoelectronic Properties of Semiconductors. Cambridge University Press, Cambridge. 318 рр. (1992).

Peter T. Landsberg. Recombination in Semiconductors. Cambridge University Press, Cambridge. 595 рр. (1991)

N. D. Ismailov, Ch. I. Abilov, M. S. Gasanova. On the photoconductivity of TlInSe2 // Semiconductors, 51(5), pp. 632-635 (2017).

V. V. Bozhko, A. V. Novosad, G. E. Davidyuk, O. V. Parasyuk, V. R. Kozer, O. R. Gerasymyk, N. Vainorius, V. Janonis, A. Sakavicius, V. Kazukauskas. Influence of cation-vacancy imperfection on the electrical and photoelectric properties of the Cu1–xZnxInS2 alloy // Semiconductors, 48(3), pp. 286–291 (2014).




Copyright (c) 2018 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)